[发明专利]光掩模坯料和光掩模

权利要求书

1.光掩模坯料，包括：

透明衬底；和

包含钼、硅和氮的遮光膜，其中

曝光光为ArF准分子激光，

将该遮光膜形成为单层或者由两层以上组成的多层，该层由在厚度方向上具有恒定的组成的单一组成层或者在厚度方向上具有连续变化的组成的组成梯度层组成，

远离该衬底的一侧的遮光膜的对于该曝光光的反射率为40％以下，

在该遮光膜为由组成在厚度方向上连续变化的组成梯度层组成的单层的情况下，该衬底侧的表面与远离该衬底的一侧的表面之间的对于该曝光光的折射率n之差为0.2以下并且该衬底侧的表面与远离该衬底的一侧的表面之间的对于该曝光光的消光系数k之差为0.5以下，并且

在该遮光膜为多层的情况下，在该多层的所有层的衬底侧的表面处与远离该衬底的一侧的表面处的对于该曝光光的折射率n中，最高折射率n与最低折射率n之差为0.2以下，并且在该多层的所有层的衬底侧的表面处与远离该衬底的一侧的表面处的对于该曝光光的消光系数k中，最高消光系数k与最低消光系数k之差为0.5以下。

2.根据权利要求1所述的光掩模坯料，其中该遮光膜为由在厚度方向上组成恒定的单一组成层组成的单层，该遮光膜对于该曝光光的折射率n为2.3以下并且对于该曝光光的消光系数k为1.3以上，并且该遮光膜的厚度为80nm以下。

3.根据权利要求1所述的光掩模坯料，其中该遮光膜为由在厚度方向上组成连续变化的组成梯度层组成的单层，在该遮光膜中，该衬底侧的表面处的折射率n低于远离该衬底的一侧的表面处的折射率n，并且该衬底侧的表面处的消光系数k高于远离该衬底的一侧的表面处的消光系数k。

4.根据权利要求3所述的光掩模坯料，其中该遮光膜对于该曝光光的折射率n为2.3以下并且对于该曝光光的消光系数k为1.3以上，并且该遮光膜的厚度为80nm以下。

5.根据权利要求1所述的光掩模坯料，其中该遮光膜为多层，在该遮光膜中，最接近该衬底的一侧的层的折射率n低于最远离该衬底的一侧的层的折射率n，并且最接近该衬底的一侧的层的消光系数k高于最远离该衬底的一侧的层的消光系数k。

6.根据权利要求5所述的光掩模坯料，其中该多层只由在厚度方向上组成恒定的单一组成层组成。

7.根据权利要求5所述的光掩模坯料，其中在该遮光膜中，最接近该衬底的面处的折射率n最低，并且最接近该衬底的层具有最高消光系数k并且具有50nm以下的厚度。

8.根据权利要求5所述的光掩模坯料，其中该折射率n均为2.3以下并且该消光系数k均为1.3以上，并且该遮光膜的厚度为80nm以下。

9.根据权利要求1所述的光掩模坯料，其中在该遮光膜的各个层的所有组成中，钼和硅的总含量为55-75原子％，氮的含量为25-45原子％，并且钼与钼和硅之和的比率为20原子％以下。

10.根据权利要求1所述的光掩模坯料，其中该遮光膜与该衬底接触地形成并且相对于该曝光光的波长的光密度OD为2.8以上，或者将该遮光膜形成在该衬底上而插入一个或两个以上的其他膜，并且遮光膜和其他膜的相对于该曝光光的波长的整体光密度OD为2.8以上。

11.根据权利要求10所述的光掩模坯料，其中该其他膜仅包括具有与该遮光膜不同的蚀刻特性的蚀刻阻挡膜、仅包括具有与该遮光膜相同的蚀刻特性的相移膜、或者包括该蚀刻阻挡膜和该相移膜两者。

12.根据权利要求1所述的光掩模坯料，包括与远离该衬底的一侧的遮光膜接触的硬掩模膜，其具有与该遮光膜不同的蚀刻特性。

13.通过使用根据权利要求1所述的光掩模坯料制备的光掩模。