[发明专利]一种碲化镉纳米晶薄膜的微刻蚀方法

权利要求书

1.一种碲化镉纳米晶薄膜的微刻蚀方法，其特征在于包括如下步骤：

在碲化镉纳米晶薄膜上盖上掩膜版，然后用刻蚀溶液的蒸汽对碲化镉纳米晶薄膜表面进行微刻蚀，得到刻蚀后的碲化镉纳米晶薄膜；

所述刻蚀溶液为体积浓度为0.5‰～5‰的溴甲醇溶液；

所述碲化镉纳米晶薄膜通过如下方法制备：采用溶剂热法制备得到CdTe纳米晶，再溶解于有机溶剂中得到黑色纳米晶溶液，将纳米晶溶液经旋涂、刷涂、喷涂或印刷方式沉积在窗口层上得到碲化镉纳米晶薄膜；

所述窗口层由依次层叠的ITO玻璃基底、ZnO层、CdSe层构成。

2.根据权利要求1所述的一种碲化镉纳米晶薄膜的微刻蚀方法，其特征在于：所述碲化镉纳米晶薄膜的厚度为100～700nm。

3.根据权利要求1所述的一种碲化镉纳米晶薄膜的微刻蚀方法，其特征在于：所述用刻蚀溶液的蒸汽对碲化镉纳米晶薄膜表面进行微刻蚀的具体操作方法为：将盖上掩膜版的碲化镉纳米晶薄膜水平放置在刻蚀溶液的上方，通过控制刻蚀溶液的浓度、温度及刻蚀时间，从而控制刻蚀溶液的蒸汽挥发速度对碲化镉纳米晶薄膜表面进行微刻蚀。

4.根据权利要求1所述的一种碲化镉纳米晶薄膜的微刻蚀方法，其特征在于：所述微刻蚀的温度为25℃～低于刻蚀溶液沸点10℃；所述微刻蚀的时间为0.5～5min。

5.根据权利要求1所述的一种碲化镉纳米晶薄膜的微刻蚀方法，其特征在于：所述微刻蚀在N₂氛围或者空气中进行。

6.根据权利要求1所述的一种碲化镉纳米晶薄膜的微刻蚀方法，其特征在于：所述刻蚀后的碲化镉纳米晶薄膜表面进一步蒸镀金属电极，或先旋涂或者蒸镀空穴传输材料，然后蒸镀金属电极。

7.根据权利要求6所述的一种碲化镉纳米晶薄膜的微刻蚀方法，其特征在于：所述空穴传输材料为CuSCN、NiO、ZnTe、Sb₂Te₃或HgTe；所述金属电极为Au、Ag或Al电极。