[发明专利]一种测量有机半导体的有机磁阻的方法

说明书

本发明公开了一种测量有机半导体的有机磁阻的方法，包括：测量所述有机半导体在无外加磁场的环境下的第一电导值；测量所述有机半导体在有外加磁场的环境下的第二电导值；根据第一电导值和第二电导值求得所述有机磁阻。本发明公开的方法能够简单、精确地获得不同的有机半导体材料的磁阻，进而可以得到不同有机材料器件在不同温度，不同的电场强度，磁场以及载流子浓度下的有机磁阻效应，为研究不同类型的有机磁阻器件的微观物理机制提供一种普适性的物理方法。

技术领域

本发明涉及有机半导体领域，具体涉及一种测量有机半导体的有机磁阻的方法。

背景技术

有机半导体材料具有柔性、透明、低成本、可大面积制造等优点，具有广阔的应用前景。过去20年里，有机半导体材料取得了巨大的进展，各种基于有机半导体材料的器件不断涌现，例如有机薄膜晶体管、有机太阳能电池、有机场效应晶体管等。人们通过研究发现，在有机半导体中加上小的磁场就会对电流产生巨大的影响，这种效应被称作有机磁阻。有机磁阻是有机半导体中的一种本征效应，它在室温或几个豪特斯拉磁场作用下就能显现。

现有技术中，为了表征和描述有机磁阻，通常会采用基于激子对自旋态的模型方法，陷阱揣恩模型方法等。但是，这些方法都是基于有机半导体材料中的某些特性，如缺陷、极化子陷阱或激子对自旋态等，因此都不具有普适性。

因此，需要一种简单并能够普遍适用的方法来表征有机磁阻。

发明内容

本发明旨在提供一种简单的测量有机半导体的有机磁阻的方法，以解决只能基于有机半导体的某些特性，才能描述和表征有机半导体的有机磁阻的问题。

本发明的实施例提供一种测量有机半导体的有机磁阻的方法，包括：

测量所述有机半导体在无外加磁场的环境下的第一电导值；

测量所述有机半导体在有外加磁场的环境下的第二电导值；以及

根据第一电导值和第二电导值求得所述有机磁阻。

进一步地，测量所述第一电导值和所述第二电导值时，将所述有机半导体置于真空坏境下。

进一步地，所述真空坏境的真空度至少为1.0×10^-4Pa。

进一步地，测量所述第二电导值时，施加的外加磁场为1mT-1T。

进一步地，测量所述有机半导体在无外加磁场的环境下的第一电导值包括：

采用四端接触法，测量有机半导体在无外加磁场的环境下的第一电阻值；以及

根据所述第一电阻值得到第一电导值。

进一步地，测量所述有机半导体在有外加磁场的环境下的第二电导值包括：

采用四端接触法，测量有机半导体在外加磁场环境下的第二电阻值；以及

根据所述第二电阻值得到第二电导值。

进一步地，根据下式计算所述有机半导体的有机磁阻：

MR＝σ_con(B＝0)/σ_con(B)-1

其中，MR表示有机磁阻的大小，σ_con(B＝0)表示有机半导体在无外加磁场环境下测得的电导值，σ_con(B)表示有机半导体在外加磁场B作用下的电导值。

根据本发明的另一方面，本发明的实施例提供一种测量有机半导体的有机磁阻的方法，包括：

测量有机半导体在无外加磁场的环境下的第一电流值；

测量有机半导体在有外加磁场的环境下的第二电流值；以及