[发明专利]半导体装置

说明书

一种装置包括第一电容器及并联连接到所述第一电容器的第二电容器。所述第一电容器包括半导体区及第一多个栅极堆叠。所述第一多个栅极堆叠包括：多个栅电介质，位于所述半导体区之上且接触所述半导体区；以及多个栅电极，位于所述多个栅电介质之上。所述第二电容器包括：隔离区；第二多个栅极堆叠，位于所述隔离区之上；以及多个导电条，位于所述隔离区之上且平行于所述第二多个栅极堆叠。所述第二多个栅极堆叠与所述多个导电条交替地布置。

技术领域

本发明实施例涉及一种具有电容器的半导体装置。

背景技术

电容器用于形成集成电路。存在有多种不同的电容器。举例来说，金属-绝缘体-金属(Metal-Insulator-Metal，MIM)电容器已广泛用于例如混合信号电路、模拟电路、射频(Radio Frequency，RF)电路、动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)、嵌入式动态随机存取存储器以及逻辑运算电路等的功能电路中。在系统芯片(system-on-chip)应用中，用于不同功能电路的不同电容器被集成在同一芯片上，以满足不同的目的。举例来说，在混合信号电路中，电容器用作去耦电容器及高频噪声滤波器。对于动态随机存取存储器电路及嵌入式动态随机存取存储器电路来说，电容器用于存储器存储，而对于射频电路来说，电容器在振荡器及相移网络(phase-shift networks)中用于耦合及/或旁通(bypassing)目的。对于微处理器来说，电容器用于去耦。将这些电容器组合在同一芯片上的传统方式是将其制作在不同的金属层中。

发明内容

本发明实施例提供一种半导体装置包括第一电容器及并联连接到所述第一电容器的第二电容器。所述第一电容器包括半导体区及第一多个栅极堆叠。所述第一多个栅极堆叠包括：多个栅电介质，位于所述半导体区之上且接触所述半导体区；以及多个栅电极，位于所述多个栅电介质之上。所述第二电容器包括：隔离区；第二多个栅极堆叠，位于所述隔离区之上；以及多个导电条，位于所述隔离区之上且平行于所述第二多个栅极堆叠。所述第二多个栅极堆叠与所述多个导电条交替地布置。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，会最佳地理解本发明的各方面。应注意，根据业内标准惯例，各种特征并非是按比例绘制。事实上，为使论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1示出根据一些实施例的混合式去耦电容器的示意图。

图2示出根据一些实施例的混合式去耦电容器的示意性布局。

图3A、图3B、图3C以及图3D示出根据一些实施例的混合式去耦电容器中的变容器的俯视图及剖视图。

图4A、图4B、图4C以及图4D示出根据一些实施例的混合式去耦电容器中的梳状电容器的俯视图及剖视图。

图5示出根据一些实施例的混合式去耦电容器的示意性布局。

图6示出根据一些实施例与混合式去耦电容器同时形成的鳍式场效晶体管(FinField-Effect Transistor，FinFET)。

具体实施方式

以下公开内容提供用于实作本发明的不同特征的许多不同的实施例或实例。以下阐述组件及构造的具体实例以简化本发明。当然，这些仅为实例且不旨在进行限制。例如，以下说明中将第一特征形成在第二特征之上或第二特征上可包括其中第一特征与第二特征被形成为直接接触的实施例，且也可包括其中第一特征与第二特征之间可形成有额外特征、从而使得所述第一特征与所述第二特征可能不直接接触的实施例。另外，本发明可能在各种实例中重复使用参考编号及/或字母。这种重复使用是出于简洁及清晰的目的，而不是自身表示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。