[发明专利]半导体激光装置有效

专利信息
申请号: 201810686364.8 申请日: 2013-01-18
公开(公告)号: CN108847571B 公开(公告)日: 2021-03-19
发明(设计)人: 冈久英一郎 申请(专利权)人: 日亚化学工业株式会社
主分类号: H01S5/023 分类号: H01S5/023;H01S5/024
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 雒运朴
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 激光 装置
【说明书】:

本发明的课题在于提供一种具有稳定的散热性的半导体激光装置。半导体激光装置(100)具备半导体激光元件(10)、载置半导体激光元件(10)的载置体(30)、与载置体(30)连接的基体(40)。基体(40)具有与载置体(30)嵌合的凹部和将凹部的底部的一部分贯通的贯通部。在此,凹部的底部中的除了贯通部之外的剩余部分的厚度为基体(40)的最大厚度的一半以下。载置体(30)的最下表面通过隔着剩余部分而从基体(40)的最下表面分离。

本申请是申请号为201310019591.2、申请日为2013年1月18日、发明名称为半导体激光装置的专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及半导体激光装置。

背景技术

作为现有技术,已知有一种将载置有“半导体激光元件”的“热沉(heat sink)”(相当于本说明书的“载置体”)嵌入到在“母体”(相当于本说明书的“基体”)上所形成的贯通部中的半导体激光装置(例如专利文献1)。在引用文献1中记载有如下情况:通过使“热沉”在“母体”的背侧露出,能够使“热沉”与“外部的热沉”直接连接,因此使散热性得以提高(参照引用文献1的段落10)。

【在先技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】日本特开平6-302912号公报

但是,以使载置体的最下表面与基体的最下表面一致的方式将两者连接实际上较为困难。这是由于,虽然将载置体和基体使用焊料等并进行加热而连接,但因两者的热膨胀系数之差,而载置体的最下表面与基体的最下表面容易错动。因此,若能够使载置体的最下表面与基体的最下表面一致,则能够得到优良的散热性,但当两者的最下表面错动时,散热性会极端变差,从而存在无法得到稳定的散热性这样的问题。

发明内容

一方面涉及的半导体激光装置具备半导体激光元件、载置半导体激光元件的载置体、以及与载置体连接的基体。基体具有与载置体嵌合的凹部和将凹部的底部的一部分贯通的贯通部。在此,凹部的底部中的除了贯通部之外的剩余部分的厚度为基体的最大厚度的一半以下。载置体的最下表面通过隔着剩余部分而从基体的最下表面分离。

附图说明

图1是一实施方式涉及的半导体激光装置的剖面图。

图2是一实施方式涉及的半导体激光装置中使用的基体的剖面图。

图3是一实施方式涉及的半导体激光装置的俯视图。

图4是一实施方式涉及的半导体激光装置的侧视图。

图5是另一实施方式涉及的半导体激光装置的俯视图。

【符号说明】

100、200···半导体激光装置

10···半导体激光元件

20···夹设体

30···载置体

40···基体

40a···凹部

40b···贯通部

50-1···第一引线(リード)端子

50-2···第二引线端子

60-1···第一金属线

60-2···第二金属线

具体实施方式

以下,参照附图,对本发明涉及的实施方式进行说明。但是,以下所示的实施方式是用于使本发明的技术思想具体化的例示,没有将本发明限定为以下的实施方式。另外,各附图中所示的构件的位置、大小等存在为了使说明明确而夸张的情况。

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