[发明专利]晶片清洗设备和使用该设备的清洗方法

说明书

本发明提出一种晶片清洗设备，包括：清洗箱和清洗单元，清洗单元安装为能够向上或向下运动到清洗箱中，并且构造为将清洗溶液注射到清洗箱的内壁上。

相关申请的交叉引用

本申请根据35 U.S.C.§119要求于2017年8月18日提交的韩国专利申请第10-2017-0104711号的优先权，其全文以参见的方式纳入本文，如同在本文中充分阐述一样。

技术领域

本发明涉及清洗设备，并且更具体地涉及在晶片的清洗和冲洗过程中使用的晶片清洗设备。

背景技术

总体上来说，晶片通过诸如切片工序、磨削工序、研磨工序和抛光工序之类的一系列工序而生产为用于制造半导体装置的晶片。由于加工过程中的外部环境或晶片，诸如颗粒杂质之类的各种异物可能产生，污染晶片的表面。由于这种异物可能导致半导体装置的产量减少，采用晶片清洗设备进行清洗工序和冲洗工序，从而去除异物。

清洗工序主要采用使用清洗溶液的湿清洗法，晶片被放入清洗箱中，诸如标准清洗-1(standard cleaning-1)(SC1)、标准清洗(standard cleaning-2)(SC2)、食人鱼洗液(piranha)、磷酸等的清洗溶液被注入该清洗箱中以对晶片清洗。

冲洗工序是在清洗工序之后、使用诸如去离子水或臭氧水的冲洗溶液、在分开的清洗箱中冲洗残余在晶片表面上的清洗溶液的工序。超声波可在清洗工序和冲洗工序中一起使用。

图1是一种通常实施方式的晶片清洗设备的剖视图。

如图1所示，当清洗工序和冲洗工序完成时，清洗溶液5或冲洗溶液5包括从晶片W的表面分离出来的异物P。

因此，在清洗工序和冲洗工序中被使用了预定次数的清洗溶液5或冲洗溶液5通过在清洗箱10下方的排放管道20被排放到外侧，并且应在清洗箱10内填充新的、未受污染的清洗溶液或冲洗溶液。

当在将清洗溶液5或冲洗溶液5排放到清洗箱10的下部的过程中异物P粘附到清洗箱10的内壁时，即便填充了新的清洗溶液5或新的冲洗溶液5，异物P也会留在清洗箱10中并且污染晶片W。

发明内容

本发明旨在提出一种能够去除在清洗工序和冲洗工序中产生的留在清洗箱的内壁上的异物的晶片清洗设备以及使用该清洗设备的晶片清洗设备清洗方法。

本发明提出一种晶片清洗设备，其包括清洗箱；和清洗单元，其安装为能够向上或向下运动到清洗箱中，并且构造为将清洗溶液注射到清洗箱的内壁上。

该清洗单元可包括布置为与清洗箱的内壁相邻的注射管道；构造为将清洗溶液供应到注射管道的供应管道；和构造为使注射管道向上或向下运动的提升单元。

注射管道可具有沿着水平方向布置的多个注射孔。

该多个注射孔可布置在注射管道的外侧，以面向清洗箱的内壁。

该多个注射孔可布置为相对于注射管道的水平线倾斜预定的角度。

提升单元可包括连接到注射管道的线材和构造为调节该线材长度的拉动单元。

清洗箱可具有带有敞开顶部的长方体形状，并且注射管道可具有矩形形状。

晶片清洗设备还可包括连接到清洗箱的底部的排放管道和构造为对排放管道的打开和关闭进行控制的排放阀。

清洗单元还可包括供应阀，该供应阀连接到供应管道并且构造为对清洗溶液的供应进行控制。

晶片清洗设备还可包括构造为对清洗单元的操作进行控制的控制单元。

该控制单元可打开排放阀和使清洗单元下降，并打开供应阀，用于在清洗时将清洗溶液注射到清洗箱的内壁。