[发明专利]半导体发光装置

权利要求书

1.一种半导体发光装置，其特征在于包括：

导电性的衬底；

2个以上的发光体，并列设置在所述衬底上，分别包含第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层、及设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的发光层，所述2个以上的发光体包括：第1发光体、及串联连接于所述第1发光体的第2发光体；及

第1配线，其电连接于所述第1发光体的第1半导体层的所述衬底侧的表面及所述第2发光体的第2半导体层的所述衬底侧的表面，且延伸于设置在所述衬底上的绝缘层中；且

所述衬底电连接于所述第1发光体的第2半导体层及所述第2发光体的第1半导体层中的任一者，

所述第1发光体及所述第2发光体分别包含：发光部，包括所述第1半导体层的一部分、所述第2半导体层及所述发光层；及非发光部，包括所述第1半导体层的其他部分；

所述第1配线在所述第1发光体的非发光部电连接于所述第1半导体层。

2.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于：

所述衬底在所述第2发光体的非发光部电连接于所述第1半导体层。

3.根据权利要求2所述的半导体发光装置，其特征在于还包括：

金属层，设置在所述衬底与所述第2发光体之间，且电连接于所述衬底；及

第2配线，其将所述第2发光体的所述第1半导体层与所述金属层电连接；且

所述绝缘层延伸于所述第2发光体与所述金属层之间；

所述第2配线是设于所述绝缘层中，且连接于所述第2发光体的所述第1半导体层的所述衬底侧的表面。

4.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于：

所述衬底在所述第1发光体的发光部电连接于所述第2半导体层。

5.根据权利要求4所述的半导体发光装置，其特征在于：

还包括金属层，设置于所述衬底与所述第1发光体之间，且电连接于所述衬底；且

所述绝缘层延伸于所述第1发光体与所述金属层之间；

所述金属层是经由贯通所述绝缘层的导电体而电连接于所述第1发光体的第2半导体层。

6.一种半导体发光装置，其特征在于包括：

导电性的衬底；

2个以上的发光体，并列设置在所述衬底上，分别包含第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层、及设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的发光层，所述2个以上的发光体包括：第1发光体、及串联连接于所述第1发光体的第2发光体；

第1配线，其电连接于所述第1发光体的第1半导体层的所述衬底侧的表面及所述第2发光体的第2半导体层的所述衬底侧的表面，且延伸于设置在所述衬底上的绝缘层中；

第1电极，设置于所述第1发光体与所述衬底之间，且电连接于所述第1发光体的第2半导体层的所述衬底侧的表面；

第2电极，于所述第1发光体，经由贯通第2半导体层与发光层并到达第1半导体层的第1凹槽部而电连接于所述第1发光体的第1半导体层；

第3电极，设置于所述第2发光体与所述衬底之间，且电连接于所述第2发光体的第2半导体层的所述衬底侧的表面；及

第4电极，于所述第2发光体，经由贯通第2半导体层与发光层并到达第1半导体层的第2凹槽部而电连接于所述第2发光体的第1半导体层，并且电连接于所述衬底；且

所述衬底电连接于所述第1发光体的第2半导体层及所述第2发光体的第1半导体层中的任一者，

所述第1配线将所述第2电极与所述第3电极电连接。

7.根据权利要求6所述的半导体发光装置，其特征在于还包括：

第1绝缘层，具有设置于所述第3电极与所述第4电极之间的部分；

第2绝缘层，具有设置于所述第2电极与所述衬底之间及所述第4电极与所述衬底之间的部分；

金属层，设置于所述第2绝缘层与所述衬底之间，且电连接于所述衬底；及

导电体，贯通所述第2绝缘层，且将所述第4电极与所述金属层电连接；且

所述第1配线被所述第1绝缘层及所述第2绝缘层所覆盖。