[发明专利]一种改善多晶硅晶界缺陷的方法和装置

权利要求书

1.一种改善多晶硅晶界缺陷的方法，其特征在于，包括：

判断当前铸锭炉中的硅料是否处于熔融状态；

若是，向所述铸锭炉中的硅料通入氢元素掺杂剂；

判断当前所述铸锭炉中的硅料是否处于长晶结束阶段；

若是，停止向所述铸锭炉中的硅料通入氢元素掺杂剂。

2.如权利要求1所述改善多晶硅晶界缺陷的方法，其特征在于，所述氢元素掺杂剂为氨气、氢气中的至少一种气体。

3.如权利要求2所述改善多晶硅晶界缺陷的方法，其特征在于，所述向所述铸锭炉中的硅料通入氢元素掺杂剂，还包括：

检测并输出当前以及累计对所述铸锭炉中的硅料通入氢元素掺杂剂的量。

4.如权利要求3所述改善多晶硅晶界缺陷的方法，其特征在于，还包括：

判断所述累计对所述铸锭炉中的硅料通入氢元素掺杂剂的量是否达到与所述铸锭炉中的硅料质量匹配的氢元素掺杂剂通入量；

若是，停止向所述铸锭炉中的硅料通入氢元素掺杂剂。

5.如权利要求4所述改善多晶硅晶界缺陷的方法，其特征在于，所述向所述铸锭炉中的硅料通入氢元素掺杂剂，包括：

向所述铸锭炉中的硅料通入预定温度范围的氢元素掺杂剂。

6.一种改善多晶硅晶界缺陷的装置，其特征在于，包括：

氢元素掺杂器，所述氢元素掺杂器与多晶铸锭炉连接，用于为所述多晶铸锭炉中的硅料通入氢元素掺杂剂；

硅料状态检测器，所述硅料状态检测器与所述多晶铸锭炉连接，用于检测所述多晶铸锭炉中的硅料的状态；

氢元素掺杂控制器，所述氢元素掺杂控制器与所述氢元素掺杂器、所述硅料状态检测器连接，用于接收所述硅料状态检测器的所述多晶铸锭炉的硅料状态，在所述硅料状态处于熔融状态后，控制所述氢元素掺杂器向所述多晶铸锭炉中的硅料通入氢元素掺杂剂，在所述铸锭炉中的硅料处于长晶结束阶段后停止向所述铸锭炉中的硅料通入氢元素掺杂剂。

7.如权利要求6所述改善多晶硅晶界缺陷的装置，其特征在于，还包括与所述氢元素掺杂器连接的流量计，用于检测当前的所述氢元素掺杂器的输出速率以及累计对所述铸锭炉中的硅料通入氢元素掺杂剂的量。

8.如权利要求7所述改善多晶硅晶界缺陷的装置，其特征在于，还包括与所述流量计、所述氢元素掺杂控制器连接的氢元素掺杂剂通入停止器，在监测到所述流量计检测到累计对所述铸锭炉中的硅料通入氢元素掺杂剂的量达到与所述铸锭炉中的硅料质量匹配的氢元素掺杂剂通入量时，控制所述氢元素掺杂器停止输出氢元素掺杂剂。

9.如权利要求8所述改善多晶硅晶界缺陷的装置，其特征在于，还包括与所述氢元素掺杂器连接的加热器，用于将所述氢元素掺杂器输出的氢元素掺杂剂加热到预定温度范围。