[发明专利]执行编程操作的非易失性存储器件及其操作方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器件，包括：

层叠的多个字线；

垂直沟道区，其适用于与字线一起形成单元串；以及

电压供给器，其适用于供给对字线的编程操作所需的多个偏压，

其中，在施加到选中的字线的编程电压的脉冲区段的端部期间，负偏压被施加到与选中的字线相邻设置的邻近字线，

其中，在施加负偏压之后，选中的字线被放电，

其中，包括被放电的选中的字线和被施加负偏压的邻近字线的单元串中的所有字线利用通过电压来均衡，并且所有字线电压被重置。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，在与选中的字线相邻设置的邻近字线之中，负偏压被施加到继选中的字线之后要被编程的字线。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，负偏压被施加到与选中的字线相邻设置的邻近字线之中的字线。

4.根据权利要求2所述的非易失性存储器件，其中，在负偏压被施加到继选中的字线之后要被编程的字线之前，单元串中的所有未选中的字线利用通过电压来偏置。

5.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，选中的字线利用接地电压电平来放电。

6.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，施加到选中的字线的编程电压以多步骤上升法来施加。

7.根据权利要求6所述的非易失性存储器件，其中，施加到与选中的字线相邻设置的邻近字线的通过电压以多步骤上升法来施加。

8.一种用于操作具有形成单元串的多个字线的非易失性存储器件的方法，包括：

将编程电压施加到选中的字线并且将通过电压施加到未选中的字线；

在施加到选中的字线的编程电压的脉冲区段的端部期间，将负偏压施加到未选中的字线之中与选中的字线相邻设置的邻近字线；

在施加负偏压之后，对选中的字线进行放电，

利用通过电压来均衡包括被放电的选中的字线和被施加负偏压的邻近字线的单元串中的所有字线，然后重置所有字线电压。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，在与选中的字线相邻设置的邻近字线之中，负偏压被施加到继选中的字线之后要被编程的字线。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，将负偏压施加到与选中的字线相邻设置的邻近字线之中的字线。

11.根据权利要求9所述的方法，还包括：

在施加负偏压之后，对单元串中包括的所有字线进行预充电。

12.根据权利要求8所述的方法，其中，施加到选中的字线的编程电压以多步骤上升法来施加。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，在将通过电压施加到未选中的字线时，

施加到未选中的字线之中与选中的字线相邻设置的邻近字线的通过电压以多步骤上升法来施加。

14.一种非易失性存储器件，包括：

多个字线，其形成单元串；以及

电压供给器，其适用于供给对字线的编程操作所需的多个偏压，

其中，在施加到选中的字线的编程电压的脉冲区段的端部期间，负偏压被施加到与选中的字线相邻设置的邻近字线，

其中，在施加负偏压之后，选中的字线被放电，

其中，包括被放电的选中的字线和被施加负偏压的邻近字线的单元串中的所有字线利用通过电压来均衡，并且所有字线电压被重置。

15.根据权利要求14所述的非易失性存储器件，其中，在与选中的字线相邻设置的邻近字线之中，负偏压被施加到继选中的字线之后要被编程的字线。

16.根据权利要求15所述的非易失性存储器件，其中，在负偏压被施加到继选中的字线之后要被编程的字线之前，单元串中的所有未选中的字线利用通过电压来偏置。