[发明专利]一种发光二极管外延片的制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管外延片的制备方法，所述制备方法包括：

提供一衬底，所述衬底包括平边表面与圆边表面，所述圆边表面为弧大于半圆的弓形，所述平边表面为垂直于所述圆边表面的矩形，所述矩形的一条边与所述弓形的弦重合；

将所述衬底放置在金属有机化合物化学气相沉积MOCVD设备内，所述金属有机化合物化学气相沉积设备包括反应腔、以及放置在所述反应腔内的转盘和转动轴，所述转盘的第一表面上设置有用于放置所述衬底的圆形凹槽，所述转盘的第二表面上安装有所述转动轴，所述转动轴的轴线与所述转盘的第二表面垂直，所述转盘的第二表面为与所述转盘的第一表面相反的表面；

在所述衬底上生长外延层；

其特征在于，所述弓形的弦的中点与所述转动轴之间的距离，大于所述弓形的弧的中点与所述转动轴之间的距离，

所述圆边表面的圆心到所述平边表面的垂线，与所述圆形凹槽的圆心与所述转动轴的轴心的连线之间的夹角为20°~60°，

向所述反应腔内通入反应物气体，进行外延层的生长，其中，所述反应物气体朝向所述平边表面通入所述反应腔内。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述圆边表面的圆心到所述平边表面的垂线，与所述圆形凹槽的圆心与所述转动轴的轴心的连线之间的夹角为20°~40°。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述圆边表面的圆心到所述平边表面的垂线，偏离所述圆形凹槽的圆心与所述转动轴的轴心的连线的方向与所述转盘的转动方向一致。

4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：

在衬底上生长外延层之前，在氢气气氛下，处理衬底的表面一段时间，其中，所述反应腔内的温度为1000~1100℃，所述反应腔内的压力为200~500torr。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，处理衬底的时间为5~6min。

6.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底上生长外延层包括：

在所述衬底上生长低温GaN层；

在所述低温GaN层上生长高温GaN层；

在所述高温GaN层上生长N型层；

在所述N型层上生长有源层；

在所述有源层上生长Al_xGa_1-xN电子阻挡层；

在所述Al_xGa_1-xN电子阻挡层上生长P型层，

其中，0.15＜x＜0.25。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述有源层包括交替生长的量子阱层和量子垒层，所述量子阱层的厚度为2~3nm，所述量子垒层的厚度为8~11nm。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述量子阱层的层数与所述量子垒层的层数相同，所述量子垒层的层数为11~13。