[发明专利]化学气相生长装置

权利要求书

1.一种化学气相生长装置，其特征在于，包括：

一个控温的下部加热元件，其中，多个载体盘被布置在所述下部加热元件上，并且，其中每个载体盘承载多个用于沉积薄膜的衬底；多个隔板，所述多个隔板被设置在所述下部加热元件上方的位置，以将所述生长装置分隔成多个子反应室；

每个子反应室中皆有一个上部加热元件，所述上部加热元件被布置在所述下部加热元件的上方，上、下部加热元件中间的空隙即为本装置的高温反应区，其中，所述上部加热元件具有多个控温的上部加热单元，所述多个上部加热单元是独立调控以产生所述子反应室中的一特定多维温度分布；

进气装置，所述进气装置被安装在每个子反应室中以允许至少一种前驱体和/或载流气体进入所述子反应室；以及

出气装置，安装在所述生长装置上以排出气体。

2.根据权利要求1所述的化学气相生长装置，其特征在于，所述下部加热元件相对于其中心轴线旋转，并且所述多个载体盘相对于其自身的中心轴线旋转。

3.根据权利要求1所述的化学气相生长装置，其特征在于，所述下部加热元件为圆形，每个子反应室中的上部加热元件为扇形。

4.根据权利要求1所述的化学气相生长装置，其特征在于，所述相邻的隔板之间的角度范围在10至180度之间。

5.根据权利要求1所述的化学气相生长装置，其特征在于，所述子反应室的所述进气装置被布置在所述化学气相生长装置的中心，所述出气装置可布置在所述化学气相生长装置的中心或外围。

6.根据权利要求1所述的化学气相生长装置，其特征在于，所述子反应室的所述进气装置被布置在所述化学气相生长装置的外围，所述出气装置被布置在所述化学气相生长装置的中心。

7.根据权利要求1所述的化学气相生长装置，其特征在于，与所述进气装置相邻的每个子反应室的部分还包括气体分离器，以分离各个前驱体和/或载流气体的流动。

8.根据权利要求1所述的化学气相生长装置，其特征在于，所述上部加热元件和所述下部加热元件是借由多个接触式加热装置或多个非接触式加热装置加热。

9.根据权利要求8所述的化学气相生长装置，其特征在于，所述接触式加热装置包括灯丝加热装置或陶瓷加热装置。

10.根据权利要求8所述的化学气相生长装置，其特征在于，所述非接触式加热装置包括高频电磁感应加热装置、紫外线加热装置、可见光管灯或红外线管灯。

11.根据权利要求1所述的化学气相生长装置，其特征在于，任一个所述上部加热元件和所述下部加热元件包括至少一个冷却装置。

12.根据权利要求1所述的化学气相生长装置，其特征在于，所述隔板为实心结构或中空结构。

13.根据权利要求12所述的化学气相生长装置，其特征在于，所述隔板为中空结构以使冷却流体流入。

14.根据权利要求1所述的化学气相生长装置，其特征在于，所述隔板为矩形、直角梯形或斜边被弯曲形状替换的直角梯形。