[发明专利]一种使用氮化硅薄膜作为阻挡层的准单晶硅铸锭用坩埚

权利要求书

1.一种使用氮化硅薄膜作为阻挡层的准单晶硅铸锭用坩埚，其特征在于，所述坩埚的底座部内表面设有氮化硅涂层，氮化硅涂层上设有阻挡层，所述阻挡层为表面沉积有Si₃N₄薄膜的基片。

2.根据权利要求1所述的使用氮化硅薄膜作为阻挡层的准单晶硅铸锭用坩埚，其特征在于，所述阻挡层的制备方法为：在基片上通过等离子体增强化学气相沉积法沉积Si₃N₄薄膜，反应物为硅烷和氨气，载气为氮气；等离子体增强化学气相沉积法的工艺参数为：沉积温度为350～450℃、沉积压强为120～180Pa，射频功率为20～40W，气体总流量3400～4500sccm，沉积时间为6～20min。

3.根据权利要求2所述的使用氮化硅薄膜作为阻挡层的准单晶硅铸锭用坩埚，其特征在于，所述的氨气和硅烷的体积比为5～10:1。

4.根据权利要求1所述的使用氮化硅薄膜作为阻挡层的准单晶硅铸锭用坩埚，其特征在于，所述Si₃N₄薄膜的厚度为100～200nm。

5.根据权利要求1所述的使用氮化硅薄膜作为阻挡层的准单晶硅铸锭用坩埚，其特征在于，所述基片为太阳能级单晶硅片。

6.根据权利要求1所述的使用氮化硅薄膜作为阻挡层的准单晶硅铸锭用坩埚，其特征在于，所述阻挡层通过粘结剂粘结在氮化硅涂层上。

7.根据权利要求6所述的使用氮化硅薄膜作为阻挡层的准单晶硅铸锭用坩埚，其特征在于，所述的粘结剂为硅溶胶。

8.根据权利要求1或6所述的使用氮化硅薄膜作为阻挡层的准单晶硅铸锭用坩埚，其特征在于，所述阻挡层与所述铸锭用坩埚底部相适配。

9.根据权利要求1所述的使用氮化硅薄膜作为阻挡层的准单晶硅铸锭用坩埚，其特征在于，所述氮化硅涂层以喷涂方式涂覆于坩埚的底部内表面。