[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体的制造方法，其特征在于，包含：

提供一基材，该基材上形成有一栅极结构、一层间介电层和金属氧化物层，其中该金属氧化物层覆盖该栅极结构和该层间介电层其中每一者；

施加一浆料，其中该浆料包含：一路易士碱；

对该金属氧化物层进行一平坦化操作，该平坦化操作是通过一研磨头及该浆料来进行，直至该层间介电层暴露出来但该栅极结构仍被该金属氧化物层所覆盖，其中该平坦化操作移除该金属氧化物层的一速率大于该平坦化操作移除该层间介电层的一速率，且该研磨头对该金属氧化物层施予一向下作用力。

2.根据权利要求1所述的半导体的制造方法，其特征在于，该金属氧化物层是由二氧化铪(HfO₂)、二氧化锆(ZrO₂)或三氧化二钇(Y₂O₃)所形成。

3.根据权利要求2所述的半导体的制造方法，其特征在于，该浆料包含：多个研磨粒，该些研磨粒带有负电荷，该些研磨粒包含二氧化硅(SiO₂)、氧化铈(CeO₂)、氧化钛(TiO₂)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化锆(ZrO₂)或其组合，其中该氧化铈、该氧化钛、该氧化铝和该氧化锆的表面是被修饰，以在该浆料中带有负电荷。

4.根据权利要求1所述的半导体的制造方法，其特征在于，该路易士碱包含(X_aY_b)-基团，其中X代表IIIA族元素或前期过渡金属，Y代表氮族元素、氧族元素或卤素，a0且b0；施加该浆料的操作是使用该(X_aY_b)-基团来进行，其中a和b的比值实质为0.25至0.4。

5.根据权利要求1所述的半导体的制造方法，其特征在于，该研磨头施予实质为0.5psi至3psi的该向下作用力。

6.根据权利要求1所述的半导体的制造方法，其特征在于，基于该浆料为100重量百分比，施加该浆料的操作是使用含量实质为0.1重量百分比至4重量百分比的多个研磨粒，以及含量实质为0.01重量百分比至1重量百分比的该路易士碱来进行。

7.根据权利要求1所述的半导体的制造方法，其特征在于，该平坦化操作在该金属氧化物层和该层间介电层之间的选择性实质为大于15。

8.根据权利要求1所述的半导体的制造方法，其特征在于，施加该浆料的操作是使用包含NH₄BF₃、HBF₄、HBF₃、NaBF₃、KBCl₃、NH₄BCl₃或其组合的该路易士碱来进行。

9.根据权利要求1所述的半导体的制造方法，其特征在于，施加该浆料的操作是使用包含磷酸、氢氧化铵、有机酸或上述的组合的一缓冲溶液来调整该浆料的pH值，且该有机酸包含草酸或柠檬酸。

10.根据权利要求1所述的半导体的制造方法，其特征在于，还包含通过热氧化制程或可流动化学气相沉积制程，形成该层间介电层，其中该层间介电层包含未掺杂的硅酸玻璃、烷氧基硅烷化合物、热氧化物、可流动化学气相沉积氧化物或上述的组合。

11.根据权利要求1所述的半导体的制造方法，其特征在于，于该平坦化操作中，当该层间介电层暴露出时，该浆料的多个研磨粒和该层间介电层之间产生一斥力。