[发明专利]发光显示装置在审
申请号: | 201810690206.X | 申请日: | 2018-06-28 |
公开(公告)号: | CN109216419A | 公开(公告)日: | 2019-01-15 |
发明(设计)人: | 金秀刚;具沅会;张志向;赵昭英 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 杜诚;刘敏 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光显示装置 波长转换层 发光元件 不平坦层 第二电极 第一电极 发光层 分隔 交叠 | ||
本发明公开了发光显示装置。该发光显示装置包括:发光元件,其包括第一电极与第二电极之间的发光层;与发光元件交叠的波长转换层;以及不平坦层,其包括发光元件与波长转换层之间的多个沟槽,其中,多个沟槽的底表面与波长转换层分隔开一距离。
相关申请的交叉引用
本申请要求分别于2017年6月30日和2017年9月28日在韩国提交的韩国专利申请号为10-2017-0083798和10-2017-0126431的申请的优先权权益,出于所有目的,通过引用将这两个专利申请整体并入本文中,如同在此完全阐述一样。
技术领域
本发明涉及发光显示装置。
背景技术
发光显示装置具有高响应速度和低功耗,并且是自发光的,与液晶显示装置不同,因此发光显示装置在视角方面没有问题,并且作为下一代显示装置而具有吸引力。
发光显示装置通过发光元件的发射来显示图像,该发光元件包括两个电极之间的发光层。
然而,由于在发光层与电极之间的界面处或者在基板与空气之间的界面处发生全反射,所以在发光层处发射的光的一部分没有被输出到外部,因此发光显示装置的光提取效率降低。由于光提取效率低,发光显示装置存在亮度降低和功耗增加的问题。
发明内容
因此,本发明涉及一种基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题的发光显示装置。
本发明的目的是提供一种可以提高从发光元件发射的光的提取效率的发光显示装置。
本公开内容的附加特征和优点将在下面的描述中阐述,并且部分地将从所述描述中显而易见,或者可以通过本公开内容的实践而被了解。将通过书面说明书和权利要求书以及附图中特别指出的结构来实现和获得本公开内容的优点。
为了实现这些优点和其他优点,根据本发明的目的,如本文中体现和广泛描述的,一种发光显示装置包括:发光元件,其包括第一电极与第二电极之间的发光层;与所述发光元件交叠的波长转换层;以及不平坦层,其包括所述发光元件与所述波长转换层之间多个沟槽,其中,所述多个沟槽的底表面与所述波长转换层之间的最短距离为0.1μm或更大。
应该理解,前面的一般性描述和下面的详细描述都是示例性和解释性的,并且意在提供对要求保护的本发明的进一步说明。
附图说明
附图被包括以提供对本公开内容的进一步理解,并且被并入并构成本说明书的一部分,附图示出了本公开内容的实施方式,并且与说明书一起用于说明本公开内容的原理。在附图中:
图1是示出了根据本发明的第一实施方式的发光显示装置的像素区域的电路图;
图2是示出了根据本发明的第一实施方式的像素区域的横截面视图;
图3是放大图2的部分A的视图;
图4是示出了图2的不平坦层的平面结构的平面视图;
图5是放大图2的部分A的视图;
图6是示出了图2的不平坦层处的发光亮度的平面视图;
图7是示出了根据本发明的第一实施方式的像素区域的横截面视图;
图8是示出了图7的部分B处的不平坦层的截面结构的视图;
图9是放大图7的部分B的视图;
图10是示出了根据本发明的第二实施方式的发光显示装置的像素区域的横截面视图;
图11是放大图10的部分A的视图;
图12是针对壁的各种纵横比示出了纵横比与电流效率提高之间的关系的图;以及
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的