[发明专利]排气装置及干法刻蚀设备在审
申请号: | 201810690779.2 | 申请日: | 2018-06-28 |
公开(公告)号: | CN109087869A | 公开(公告)日: | 2018-12-25 |
发明(设计)人: | 宋德伟 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/306 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 钟子敏 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 排气腔体 刻蚀件 排气泵 排气装置 排气孔 框体 干法刻蚀设备 放置位置 周边设置 中空 刻蚀 排出 申请 表面形成 框体表面 气体流速 均一性 排气 连通 残留 | ||
1.一种排气装置,其特征在于,包括排气泵和排气腔体,所述排气腔体中空且为一框体,所述排气泵连通所述排气腔体的中空部分,所述框体于待刻蚀件的放置位置的周边设置,所述框体的表面形成有多个排气孔,所述排气泵通过所述排气腔体排出所述待刻蚀件周围的气体。
2.根据权利要求1所述的排气装置,其特征在于,所述排气腔体为一矩形框体,所述矩形框体包括4个相互独立的L型排气模块,4个所述L型排气模块的端部相互贴合以形成所述矩形框体,4个所述L型排气模块分别与4个分子泵连通。
3.根据权利要求1所述的排气装置,其特征在于,所述排气孔位于所述框体的上表面,且所述排气孔呈矩阵分布。
4.根据权利要求1所述的排气装置,其特征在于,至少部分所述排气孔处设有排气阀门,所述排气阀门通过调节阀门开度进而调节所述排气孔的排气速率。
5.根据权利要求4所述的排气装置,其特征在于,所述排气孔的表面设有气压感应装置,所述气压感应装置通过感应所述排气孔表面的气压对所述排气阀门的阀门开度进行控制,进而控制所述排气孔的排气速率。
6.根据权利要求1所述的排气装置,其特征在于,所述排气腔体为一矩形框体,所述矩形框体包括4个相互独立的直线型排气模块,4个所述直线型排气模块的端部相互贴合以形成所述矩形框体,4个所述直线型排气模块分别与4个分子泵连接。
7.根据权利要求1所述的排气装置,其特征在于,所述排气孔的形状为圆形、椭圆形、三角形、多边形、正方形或矩形中的任一种。
8.根据权利要求1所述的排气装置,其特征在于,所述排气孔的开口面积相等。
9.根据权利要求1所述的排气装置,其特征在于,所述框体的截面为圆形、椭圆形、三角形、多边形、正方形或矩形中的任一种。
10.一种干法刻蚀设备,其特征在于,包括反应腔体和权利要求1-9任一所述的排气装置,所述排气装置位于所述反应腔体内,所述排气装置中的排气泵一端与排气腔体连通,另一端与所述反应腔体的出气口连通,以将所述反应腔体中的气体排出。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司,未经武汉华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810690779.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种蚀刻方法
- 下一篇:硅片清洗装置及其清洗方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造