[发明专利]半导体装置

说明书

一种半导体装置包括：彼此紧挨着地设置在衬底上的第一存储器部、第一外围电路部和第二外围电路部；以及与所述第一存储器部横向地隔开的第二存储器部，所述第二外围电路部和所述第二存储器部彼此紧挨着地设置在所述衬底上，其中，所述第一存储器部包括多个第一存储单元，每个所述第一存储单元包括单元晶体管和连接到所述单元晶体管的电容器，所述第二存储器部包括多个第二存储单元，每个所述第二存储单元包括彼此串联连接的可变电阻元件和选择元件，其中，所述第二存储单元距离所述衬底比每个所述电容器高。

相关申请的交叉引用

本专利申请要求于2017年7月21日提交的第10-2017-0092880号韩国专利申请的优先权，通过引用将上述申请的全部公开内容包含于此。

技术领域

本发明构思涉及半导体装置，并且更具体地，涉及包括具有不同的操作特性的存储单元的半导体装置。

背景技术

半导体装置可以包括存储器件和逻辑器件。存储器件存储数据。通常，半导体存储器件可以包括易失性存储器件非易失性存储器件。易失性存储器件，例如动态随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器(SRAM)，是在没有电的情况下丢失存储的数据的存储器件。非易失性存储器件，例如可编程只读存储器(PROM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)和闪速存储器件，是在没有电的情况下不丢失存储的数据的存储器件。

下一代半导体存储器件例如磁性随机存取存储器(MRAM)和相变随机存取存储器(PRAM)是高性能且低功耗的器件。下一代半导体存储器件包括这样的材料，即，其电阻根据所施加的电流或电压而改变，并且即使所施加的电流或电压中断，其电阻仍继续保持。

发明内容

根据本发明构思的示例性实施例，一种半导体装置可以包括：彼此紧挨着地设置在衬底上的第一存储器部、第一外围电路部和第二外围电路部；以及与所述第一存储器部横向地隔开的第二存储器部，所述第二外围电路部和所述第二存储器部彼此紧挨着地设置在所述衬底上，其中，所述第一存储器部包括多个第一存储单元，每个所述第一存储单元包括单元晶体管和连接到所述单元晶体管的电容器，所述第二存储器部包括多个第二存储单元，每个所述第二存储单元包括彼此串联连接的可变电阻元件和选择元件，其中，所述第二存储单元距离所述衬底比每个所述电容器高。

根据本发明构思的示例性实施例，一种半导体装置可以包括：包括第一器件区域和第二器件区域的衬底；位于所述第一器件区域上的第一存储器部；以及位于所述第二器件区域上并与所述第一存储器部横向地隔开的第二存储器部，其中，所述第一存储器部包括电容器结构，所述第二存储器部包括多个布置在所述衬底上的可变电阻元件以及多个串联连接到对应的可变电阻元件的选择元件，其中，所述可变电阻元件和所述选择元件距离所述衬底比所述电容器结构高。

根据本发明构思的示例性实施例，一种半导体装置可以包括：衬底；沿第一方向彼此紧挨着地设置在所述衬底上的第一存储器部和第一外围电路部；设置在所述第一存储器部和所述第一外围电路部上的第一布线部；以及沿所述第一方向彼此紧挨着地设置在所述衬底上的第二外围电路部和第二存储器部；在与所述第一方向基本垂直的第二方向上设置在所述第二存储器部上方的第二布线部。

附图说明

图1是示出了根据本发明构思的示例性实施例的半导体装置内部的布置的剖视图。

图2是示出了根据本发明构思的示例性实施例的图1的第一存储器部、第一外围电路部、第二存储器部和第二外围电路部的布置的平面图。

图3是示出了根据本发明构思的示例性实施例的图1的第一存储器部的存储单元阵列的电路图。

图4是示出了根据本发明构思的示例性实施例的图1的第二存储器部的存储单元阵列的电路图。

图5是示出了根据本发明构思的示例性实施例的图1的第二存储器部的单位存储单元的电路图。