[发明专利]一种用于海水淡化的芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种用于海水淡化的芯片，其特征在于，包括基体和依次层叠设置于所述基体上的导电层和保护层，所述导电层设置有一主沟槽，所述主沟槽将所述导电层分隔成正极导电层和负极导电层两个区域，所述主沟槽沿厚度方向贯穿所述导电层，所述主沟槽用于流通海水，所述主沟槽的一端为海水入口，所述主沟槽的另一端为淡水出口，所述正极导电层和所述负极导电层设有等数量的、且与所述主沟槽相连通的多个子沟槽，所述正极导电层中的所述子沟槽用于富集所述海水中的负离子，所述负极导电层中的所述子沟槽用于富集所述海水中的正离子，所述子沟槽与所述主沟槽呈角度设置，所述子沟槽与所述主沟槽的夹角为40°-50°，所述正极导电层和所述负极导电层中的所述子沟槽的数量分别为4-6个，所述芯片的尺寸为(5-10)mm*(2-5)mm*(0.2-0.5)mm。

2.如权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述正极导电层的多个所述子沟槽与所述负极导电层的多个所述子沟槽沿所述主沟槽呈轴对称分布。

3.如权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述基体和所述保护层的材质为硅材料或玻璃。

4.如权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述导电层的材质为金、铂金或钛。

5.一种用于海水淡化的芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供基体，对所述基体进行预处理，清洁所述基体表面，再在所述基体表面依次沉积导电层材料和光阻层材料；

通过光刻工艺使所述光阻层材料图案化，形成光阻层，再对所述导电层材料进行刻蚀，形成导电层，使所述光阻层的正投影与所述导电层的正投影重合，最后去除光阻层，再在所述导电层的表面覆盖保护层，得到用于海水淡化的芯片；

所述芯片包括基体和依次层叠设置于所述基体上的导电层和保护层，所述导电层设置有一主沟槽，所述主沟槽将所述导电层分隔成正极导电层和负极导电层，所述主沟槽沿厚度方向贯穿所述导电层，所述主沟槽用于流通海水，所述主沟槽的一端为海水入口，所述主沟槽的另一端为淡水出口，所述正极导电层和所述负极导电层设有等数量的、且与所述主沟槽相连通的多个子沟槽，所述正极导电层中的所述子沟槽用于富集所述海水中的负离子，所述负极导电层中的所述子沟槽用于富集所述海水中的正离子，所述子沟槽与所述主沟槽呈角度设置，所述子沟槽与所述主沟槽的夹角为40°-50°，所述正极导电层和所述负极导电层中的所述子沟槽的数量分别为4-6个，所述芯片的尺寸为(5-10)mm*(2-5)mm*(0.2-0.5)mm。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述光阻层材料为正性光刻胶。