[发明专利]太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.太阳能电池，其包括第一电池活性层和第二电池活性层，其中所述第一电池活性层和所述第二电池活性层两者中之一包含受体材料F-M，并且两者中另一活性层包含选自以下的受体材料：O6T-4F、PC₇₁BM中的任意一种或它们的组合。

2.如权利要求1所述的复合材料，其中：

任选地，所述太阳能电池为双结或多结太阳能电池；

任选地，所述另一活性层包含O6T-4F和PC₇₁BM；

任选地，所述第一电池活性层和所述第二电池活性层进一步包含至少一种给体材料，并且任选地，所述第一电池活性层中的给体材料和所述第二电池活性层中的给体材料各自独立地选自PBDB-T、PBDB-TF、PTB7-Th、J52-2F、PDBT-T1中的任意一种或它们的任意组合；

任选地，所述第一电池活性层和所述第二电池活性层两者中包含F-M的活性层中的给体材料选自PBDB-T、PBDB-TF、J52-2F、PDBT-T1中的任意一种或它们的组合，并且所述另一活性层中的给体材料选自PTB7-Th；

任选地，所述第一电池活性层和所述第二电池活性层两者中包含F-M的活性层中的给体材料选自PBDB-T，并且所述另一活性层中的给体材料选自PTB7-Th；

任选地，在所述包含F-M的活性层中，给体材料：F-M的质量比为1:0.6-1.4，或1:0.8-1.2；

任选地，在所述另一活性层中，给体材料：O6T-4F：PC₇₁BM的质量比为1：0-1.5：0-1.5；

任选地，所述第一电池活性层和所述第二电池活性层两者中包含F-M的活性层作为前电池活性层，并且所述另一活性层作为后电池活性层。

3.如权利要求1或2所述的复合材料，其中：

任选地，所述太阳能电池进一步包括阴极、阴极修饰层、界面修饰层、空穴收集层、电子收集层、阳极修饰层和阳极中的一种以上结构；

任选地，所述阴极作为导电基底，或者所述阳极作为导电基底；

任选地，当阴极作为导电基底时，所述阳极包含金属；

任选地，当阳极作为导电基底时，所述阴极包含金属；

任选地，所述金属选自银、金、铝中的任意一种或它们的任意组合；

任选地，导电基底的材质选自氧化铟锡ITO、掺氟氧化锡FTO中的任意一种或它们的组合。

任选地，所述阴极修饰层包含金属氧化物，并且任选地，所述金属氧化物选自ZnO、TiO₂和SnO₂中的任意一种或它们的任意组合；

任选地，所述界面修饰层包含导电聚合物，并且任选地，所述导电聚合物选自PFN-Br和PFN中的任意一种或它们的组合；

任选地，所述空穴收集层包含MoO₃、WO₃、中性PDEOT、以及聚3,4-乙撑二氧噻吩：聚苯乙烯磺酸盐PEDOT:PSS中的任意一种或它们的任意组合；

任选地，所述电子收集层包含氧化锌纳米粒子、PFN、TiO₂中的任意一种或它们的任意组合；

任选地，所述阳极修饰层包含MoO₃、V₂O₅或WO₃中的任意一种或它们的任意组合。