[发明专利]一种梯度钕铁硼磁体及其制作方法

权利要求书

1.一种梯度钕铁硼磁体，其特征在于，所述的梯度钕铁硼磁体是由钕铁硼磁体薄片（1）垂直于磁化方向的两个表面覆盖镝、铽或含镝，铽元素的合金或化合物粉末层（2），采用激光照射使钕铁硼磁体薄片表面边缘位置处的粉末固化成重稀土膜层（3）并与钕铁硼磁体薄片（1）表面发生粘连，然后将钕铁硼磁体薄片表面未成膜的粉末层（2）清理干净，将覆盖有重稀土膜层（3）的钕铁硼磁体薄片（1）放入到真空烧结炉内，进行高温扩散和时效处理制得；所述的梯度钕铁硼磁体在垂直于磁化方向的面上，分为边缘区（4）、过渡区（5）和中心区（6）三个区域；所述的边缘区（4）内的矫顽力，沿垂直于磁化方向上具有恒定值，沿磁化方向，矫顽力由表面到中心呈现逐步降低的趋势，过渡区（5）内的矫顽力沿垂直于磁化方向由外到内逐步减小，沿磁化方向，矫顽力由表面到中心呈现逐步降低的趋势，中心区（6）内的矫顽力，沿垂直于磁化方向和磁化方向具有恒定值；所述的边缘区（4）的平均矫顽力大于过渡区（5）的平均矫顽力，过渡区（5）的平均矫顽力大于中心区（6）的平均矫顽力。

2.权利要求1所述的一种梯度钕铁硼磁体的制作方法，其特征在于，包括如下工艺步骤：

a将磁化方向厚度为2-10mm钕铁硼磁体薄片，按照磁化方向竖直的方式放置到氩气保护仓内，将镝、铽或含镝，铽元素的合金或化合物粉末均匀的覆盖在钕铁硼磁体薄片上表面，并采用激光照射覆盖有重稀土粉末的钕铁硼磁体薄片表面的边缘位置，使得钕铁硼磁体薄片表面边缘位置处的重稀土粉末迅速加热固化成重稀土膜层并与钕铁硼磁体薄片发生粘连；

b将钕铁硼磁体薄片表面未成膜的重稀土粉末清理干净;

c将钕铁硼磁体薄片进行翻转180°，在钕铁硼磁体薄片的另一个垂直于磁化方向的面上重复上述步骤；

d将覆盖有重稀土膜层的钕铁硼磁体薄片放入到真空烧结炉内，在真空条件或者氩气保护条件下对钕铁硼磁体薄片进行高温扩散和时效处理。

3.根据权利要求2所述的一种梯度钕铁硼磁体的制作方法，其特征在于，所述的钕铁硼磁体薄片长度和宽度方向最小尺寸为10mm。

4.根据权利要求2所述的一种梯度钕铁硼磁体的制作方法，其特征在于，所述的镝、铽或含镝，铽元素的合金或化合物粉末的粒径为1-300μm。

5.根据权利要求2所述的一种梯度钕铁硼磁体的制作方法，其特征在于，所述的钕铁硼磁体薄片上所覆盖的重稀土粉末与钕铁硼磁体薄片的质量百分比在激光照射前为0.1%-2%。

6.根据权利要求2所述的一种梯度钕铁硼磁体的制作方法，其特征在于，所述的激光照射后钕铁硼磁体薄片表面的重稀土膜层面积占钕铁硼磁体薄片粉末覆盖面面积的10%-65%。

7.根据权利要求2所述的一种梯度钕铁硼磁体的制作方法，其特征在于，所述的d步骤的扩散温度为850-950℃，扩散时间为6-72h，时效温度为450-650℃，时效时间为3-15h。