[发明专利]化学气相沉积制备全沉积碳化硅涂层的装置有效
申请号: | 201810694374.6 | 申请日: | 2018-06-29 |
公开(公告)号: | CN108546928B | 公开(公告)日: | 2020-01-14 |
发明(设计)人: | 杨泰生;刘海林;霍艳丽;陈玉峰;唐婕;胡利明 | 申请(专利权)人: | 中国建筑材料科学研究总院有限公司 |
主分类号: | C23C16/32 | 分类号: | C23C16/32;C23C16/455 |
代理公司: | 11348 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 王伟锋;刘铁生 |
地址: | 100024*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 碳化硅涂层 腔体 化学气相沉积 沉积 支撑环 制备 扰流体 支撑部件 下腔体 制备技术领域 沉积涂层 出气装置 顶部设置 方向设置 进气装置 内壁连接 腔体顶部 腔体分割 样品表面 一端设置 上腔体 外侧壁 连通 支撑 | ||
1.一种化学气相沉积制备全沉积碳化硅涂层的装置,其特征在于,其包括:
腔体,所述腔体的顶部设置有进气装置,所述腔体的底部设置有出气装置;
其中,所述进气装置包括一端伸入所述腔体的第一进气管和第二进气管,且在靠近所述第一进气管的一端端部的侧壁上设置有第一出气口,在靠近所述第二进气管的一端端部的侧壁上设置有第二出气口,所述第一进气管的另一端与所述第二进气管的另一端均用于与气源连接;
支撑环,所述支撑环的外侧壁与所述腔体的内壁连接,将所述腔体分割成中部连通的上腔体和下腔体;
扰流体,所述扰流体的一端设置在所述支撑环上,并沿所述支撑环到腔体顶部的方向设置,所述扰流体的数量大于等于三个;
支撑部件,所述支撑部件设置在所述腔体的底部,用于支撑待沉积涂层的样品,并使样品位于所述下腔体中。
2.根据权利要求1所述的化学气相沉积制备全沉积碳化硅涂层的装置,其特征在于,
所述腔体的顶部设置有用于安装所述第一进气管的第一安装孔,所述第一进气管垂直穿过所述第一安装孔伸入所述腔体中;
所述腔体的顶部设置有用于安装所述第二进气管的第二安装孔,所述第二进气管垂直穿过所述第二安装孔伸入所述腔体中;
其中,所述第一安装孔和第二安装孔采用偏心设计,分别设置在以所述腔体顶部中心为圆心的两个圆周上,且两个圆周直径相差50-100mm。
3.根据权利要求2所述的化学气相沉积制备全沉积碳化硅涂层的装置,其特征在于,
所述第一出气口的出口方向与所述第一安装孔中心和第二安装孔中心所在的直线呈80-100度夹角,所述第二出气口的出口方向与所述第一安装孔中心和第二安装孔中心所在的直线呈80-100度夹角,且所述第一出气口和所述第二出气口呈顺时针或逆时针的方式布置并出口方向相互平行。
4.根据权利要求3所述的化学气相沉积制备全沉积碳化硅涂层的装置,其特征在于,
所述第一出气口为长条孔,所述第一出气口的长边沿所述第一进气管的长度方向设置;
所述第二出气口为长条孔,所述第二出气口的长边沿所述第二进气管的长度方向设置。
5.根据权利要求1所述的化学气相沉积制备全沉积碳化硅涂层的装置,其特征在于,
所述出气装置为带有排气孔的底板,所述排气孔的数量为多个,多个所述排气孔以所述底板的中心为圆心采用圆形阵列的方式分布在所述底板上;
其中,相邻两个所述排气孔之间的距离为4-8mm,所述排气孔的直径为6-16mm,所述排气孔的最大阵列直径尺寸为所述腔体内径尺寸的40-60%。
6.根据权利要求1所述的化学气相沉积制备全沉积碳化硅涂层的装置,其特征在于,
所述支撑环的内径等于所述腔体内径的60-80%。
7.根据权利要求1所述的化学气相沉积制备全沉积碳化硅涂层的装置,其特征在于,
所述扰流体包括为第一长条形板体和第二长条形板体;
所述第一长条形板体的一长侧边与所述第二长条形板体的一长侧边连接,且所述第一长条形板体和所述第二长条形板体之间的夹角为120-160度;
所述第一长条形板体的另一长侧边与所述腔体的内壁连接,所述第二长条形板体的另一长侧边与所述腔体的内壁连接。
8.根据权利要求7所述的化学气相沉积制备全沉积碳化硅涂层的装置,其特征在于,
所述第一长条形板体的宽度等于所述第二长条形板体的宽度的60-80%。
9.根据权利要求7所述的化学气相沉积制备全沉积碳化硅涂层的装置,其特征在于,
所述扰流体的另一端与所述腔体顶部连接;
或,所述扰流体的长度等于所述上腔体高度的60-80%。
10.根据权利要求1所述的化学气相沉积制备全沉积碳化硅涂层的装置,其特征在于,
所述支撑部件包括多个支撑杆,所述支撑杆的一端与所述腔体的底部连接,所述支撑杆的另一端为锥形尖端用于支撑所述样品;
其中,多个所述支撑杆以所述腔体的底部中心为轴心均布在所述腔体的底部。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的