[发明专利]工艺腔室和半导体处理设备

权利要求书

1.一种工艺腔室，其特征在于，包括：

腔室本体；

基座，位于所述腔室本体内；

盖板，盖设在所述腔室本体上，且与所述腔室本体之间绝缘间隔；

下电极射频电源，与所述基座和所述盖板选择性地电连接；并且，

启辉阶段，所述盖板为不接地的悬浮状态，所述下电极射频电源与所述盖板电性导通，以通过所述盖板和所述腔室本体之间的容性耦合的方式使得等离子体发生启辉；

启辉结束，所述下电极射频电源与所述基座电性导通，以形成射频自偏压。

2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述工艺腔室还包括第一选择连接件；

所述下电极射频电源经由所述第一选择连接件与所述基座和所述盖板选择性地电连接。

3.根据权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述第一选择连接件包括选择开关；

所述选择开关的静触头与所述下电极射频电源电连接，所述选择开关的动触头选择性地与所述基座和所述盖板电连接。

4.根据权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，所述工艺腔室还包括：

第一匹配器，串联设置在所述基座和所述选择开关之间；

第二匹配器，串联设置在所述盖板和所述选择开关之间。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的工艺腔室，其特征在于，所述工艺腔室还包括第一绝缘件；

所述第一绝缘件夹设在所述腔室本体和所述盖板之间，以使得所述盖板与所述腔室本体之间绝缘间隔。

6.根据权利要求1至4中任意一项所述的工艺腔室，其特征在于，所述工艺腔室还包括第二选择连接件；

所述盖板经由所述第二选择连接件与接地端选择性地电连接；并且，

启辉阶段，所述第二选择连接件使得所述盖板与所述接地端不导通，以使得所述盖板呈悬浮状态；

启辉结束，所述第二选择连接件使得所述盖板与所述接地端电性导通。

7.根据权利要求1至4中任意一项所述的工艺腔室，其特征在于，所述盖板为金属材料；

所述盖板朝向所述腔室本体的一个表面经过粗糙处理；或，所述盖板朝向所述腔室本体的一个表面设置有绝缘材料层，并且，所述绝缘材料层经过粗糙处理。

8.根据权利要求7所述的工艺腔室，其特征在于，所述盖板的材料或所述盖板表面的绝缘材料与工艺需要附着的金属或氧化物材料相同。

9.根据权利要求1至4中任意一项所述的工艺腔室，其特征在于，所述工艺腔室还包括：

介质窗，与所述腔室本体耦接；

射频线圈，放置在所述介质窗上，所述射频线圈经由第三匹配器与上电极射频电源电连接；

法拉第屏蔽件，位于所述腔室本体内，且与所述介质窗对应设置，所述法拉第屏蔽件经由所述腔室本体直接接地。

10.一种半导体处理设备，其特征在于，包括权利要求1至9中任意一项所述的工艺腔室。