[发明专利]一种利用全介质纳米结构增强石墨烯紫外光吸收的方法在审
| 申请号： | 201810696282.1 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN109585576A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 朱锦锋;李察微;王正瑛;江山;严爽 | 申请（专利权）人： | 厦门大学;厦门大学深圳研究院 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/18;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 刘康平 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氟化钙 石墨烯 介质层 六氟铝酸钠 沉积 低折射率介质 高折射率介质 紫外光吸收 纳米结构 石墨烯层 氧化硅层 氧化锆层 全介质 二氧化硅纳米 电子束蒸镀 表面沉积 紫外光 氧化锆 光刻 刻蚀 金属 吸收 | ||
1.一种利用全介质纳米结构增强石墨烯紫外光吸收的方法，其特征在于，包括，以下步骤：
步骤1：选择单面抛光的硅片为基片，在基片上用电子束蒸镀的方法先沉积氟化钙作为氟化钙介质层(3)；
步骤2：在氟化钙介质层(3)一侧之上沉积氧化锆作为高折射率介质氧化锆层(4)，在高折射率介质氧化锆层(4)之上沉积六氟铝酸钠作为低折射率介质六氟铝酸钠层(5)；
步骤3：然后在低折射率介质六氟铝酸钠层(5)的表面沉氟化钙作为氟化钙介质层(3)；
步骤4：将石墨烯转移至氟化钙介质层(3)另一侧之上形成石墨烯层(2)；
步骤5：在石墨烯层(2)表面沉积氧化硅层；
步骤6：利用光刻的方式将氧化硅层刻蚀成相同宽度和相同距离的二氧化硅纳米条(1)。
2.根据权利要求1所述的一种利用全介质纳米结构增强石墨烯紫外光吸收的方法，其特征在于，步骤1和步骤3中所述氟化钙介质层(3)的厚度均为126nm。
3.根据权利要求1所述的一种利用全介质纳米结构增强石墨烯紫外光吸收的方法，其特征在于，所述高折射率介质氧化锆层(4)为5层、26.9nm厚的氧化锆，所述低折射率介质六氟铝酸钠层(5)为4层52.6nm、厚的六氟铝酸钠，所述高折射率介质氧化锆层(4)和低折射率介质六氟铝酸钠层(5)互相穿插平行设置。
4.根据权利要求1所述的一种利用全介质纳米结构增强石墨烯紫外光吸收的方法，其特征在于，步骤4和步骤5中所述氧化硅层的厚度为29nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
