[发明专利]无机柔性全透明钙钛矿氧化物压控变容管及其制备方法

权利要求书

1.无机柔性全透明钙钛矿氧化物压控变容管，其特征在于，所述的柔性全透明压控变容管的由各层顺序依次为云母衬底、全透明层状(Ag/ITO)_n底电极、钙钛矿氧化物铁电薄膜和透明ITO顶电极组成；所述的云母衬底为氟晶云母(AlF₂O₁₀Si₃₃Mg)，厚度为0.5μm-10μm；所述的ITO透明顶电极为质量比In₂O₃:SnO₂＝9:1的ITO薄膜，厚度为100nm-300nm。

2.如权利要求1所述的无机柔性全透明钙钛矿氧化物压控变容管，其特征在于，所述的全透明层状(Ag/ITO)_n底电极为多层结构，层数n为2-5，总厚度为150nm-250nm。

3.如权利要求1所述的无机柔性全透明钙钛矿氧化物压控变容管，其特征在于，所述的钙钛矿氧化物的分子式分别为Pb(Zr_xTi_1-x)O₃、Bi_3.25La_0.75Ti₃O₁₂或(Ba_1-ySr_y)TiO₃，其中x＝0.2-0.52，y＝0.35-0.5。

4.如权利要求1-3任一项所述的无机柔性全透明钙钛矿氧化物压控变容管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一，溅射沉积全透明层状(Ag/ITO)_n底电极：将云母衬底放入真空生长腔中并抽真空，升温至300-400℃沉积后取出在云母衬底上的层状(Ag/ITO)_n底电极；

步骤二，溅射沉积钙钛矿氧化物薄膜：将在步骤二制得的(Ag/ITO)_n底电极放入真空生长腔并抽真空，升温至600-700℃溅射沉积钙钛矿氧化物薄膜，取出沉积的钙钛矿氧化物薄膜；

步骤三，溅射沉积ITO顶薄膜：将在步骤三制得的钙钛矿氧化物薄膜放入真空生长腔并抽真空，升温至300℃溅射沉积ITO薄膜，之后待温度降至室温后，即得到无机柔性全透明钙钛矿氧化物压控变容管。