[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 201810697545.0 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN109065679B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 苏晨;王慧;肖扬;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/08;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述缓冲层、所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上；所述有源层包括依次层叠的多个复合结构，每个所述复合结构包括依次层叠的阱层、盖层和垒层，所述阱层的材料为InGaN，所述垒层的材料为GaN，其特征在于，所述盖层的材料为BxGa1-xN，0＜x＜1；所述盖层的生长温度与所述阱层的生长温度相同，所述盖层的生长压力为20torr，x沿所述盖层的层叠方向逐渐减小。
2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述盖层的厚度为1nm～2nm。
3.根据权利要求2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述阱层的厚度为3nm～8nm。
4.根据权利要求2或3所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述垒层的厚度为8nm～15nm。
5.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述复合结构的数量为5个～10个。
6.一种发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层；
其中，所述有源层包括依次层叠的多个复合结构，所述复合结构包括依次层叠的阱层、盖层和垒层，所述阱层的材料为InGaN，所述垒层的材料为GaN，所述盖层的材料为BxGa1-xN，0＜x＜1；所述盖层的生长温度与所述阱层的生长温度相同，所述盖层的生长压力为20torr，x沿所述盖层的层叠方向逐渐减小。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述阱层的生长压力为150torr～300torr。
8.根据权利要求6或7所述的制造方法，其特征在于，所述垒层的生长压力为150torr～300torr。
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