[发明专利]一种放大器偏置电压保护电路及电子设备在审
申请号: | 201810697837.4 | 申请日: | 2018-06-29 |
公开(公告)号: | CN110661496A | 公开(公告)日: | 2020-01-07 |
发明(设计)人: | 曾武 | 申请(专利权)人: | 中兴通讯股份有限公司 |
主分类号: | H03F1/52 | 分类号: | H03F1/52 |
代理公司: | 11308 北京元本知识产权代理事务所 | 代理人: | 金海荣 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 放大器 偏置电压 参考源 电压隔离器 电路 反向截止 电压源 偏置端 钳制 预设 毫米波电路 布局约束 电路结构 电子设备 输出异常 参考 微波 占用 申请 改进 | ||
1.一种放大器偏置电压保护电路,其特征在于,包括:
偏置电压参考源、电压隔离器、放大器、参考保护电压源和前向导通反向截止模块,其中,所述偏置电压参考源通过所述电压隔离器与所述放大器的偏置端连接,所述参考保护电压源通过所述前向导通反向截止模块与所述放大器的偏置端连接;
当所述偏置电压参考源输出异常时,使所述放大器的偏置电压钳制在预设的电压范围内。
2.根据权利要求1所述的一种放大器偏置电压保护电路,其特征在于,
所述放大器为N型场效应管放大器,所述参考保护电压源与所述前向导通反向截止模块的负端连接,所述前向导通反向截止模块的正端与所述放大器的偏置端连接。
3.根据权利要求2所述的一种放大器偏置电压保护电路,其特征在于,
所述偏置电压参考源为数字模拟转换器,所述电压隔离器为电阻,所述参考保护电压源为低压差线性稳压器,所述前向导通反向截止模块为二极管;
所述数字模拟转换器的输出端与所述电阻的一端连接,所述电阻的另一端与所述二极管的正极及所述N型场效应管的栅极连接,所述二极管的负极与所述低压差线性稳压器的输出端连接。
4.根据权利要求3所述的一种放大器偏置电压保护电路,其特征在于,
所述偏置电压参考源输出参考电压Vref,通过所述电阻与所述放大器的偏置端连接,偏置电压为Vbias,所述参考保护电压源输出电压Vp,通过所述二极管与所述放大器的偏置端连接,所述二极管的导通电压为Vf;
当放大器正常工作时,偏置电压Vbias与参考电压Vref近似相等,当参考电压Vref低于预设的第一电压阈值,使得Vref-Vp<Vf时,所述二极管截止不导通,所述放大器的偏置电压即为参考电压;
当参考电压Vref高于预设的第二电压阈值,使得Vref-Vp≥Vf时,所述二极管导通,偏置电压Vbias=Vp+Vf。
5.根据权利要求4所述的一种放大器偏置电压保护电路,其特征在于,所述二极管的反应速度为纳秒级,所述参考保护电压源输出电压Vp升压速度快于所述放大器的供电电压。
6.根据权利要求1所述的一种放大器偏置电压保护电路,其特征在于,
所述放大器为P型场效应管放大器,所述参考保护电压源与所述前向导通反向截止模块的正端连接,所述前向导通反向截止模块的负端与所述放大器的偏置端连接。
7.根据权利要求6所述的一种放大器偏置电压保护电路,其特征在于,
所述偏置电压参考源为数字模拟转换器,所述电压隔离器为电阻,所述参考保护电压源为低压差线性稳压器,所述前向导通反向截止模块为二极管;
所述数字模拟转换器的输出端与所述电阻的一端连接,所述电阻的另一端与所述二极管的负极及所述P型场效应管的栅极连接,所述二极管的正极与所述低压差线性稳压器的输出端连接。
8.根据权利要求7所述的一种放大器偏置电压保护电路,其特征在于,
所述偏置电压参考源输出参考电压Vref,通过所述电阻与所述放大器的偏置端连接,偏置电压为Vbias,所述参考保护电压源输出电压Vp,通过所述二极管与所述放大器的偏置端连接,所述二极管的导通电压为Vf;
当放大器正常工作时,偏置电压Vbias与参考电压Vref近似相等,当参考电压Vref高于预设的第三电压阈值,使得Vp-Vref<Vf时,所述二极管截止不导通,所述放大器的偏置电压即为参考电压;
当参考电压Vref低于预设的第四电压阈值,使得Vp-Vref≥Vf时,所述二极管导通,偏置电压Vbias=Vp-Vf。
9.根据权利要求8所述的一种放大器偏置电压保护电路,其特征在于,所述二极管的反应速度为纳秒级,所述参考保护电压源输出电压Vp升压速度快于所述放大器的供电电压。
10.一种电子设备,其特征在于,包括权利要求1-9任一项所述的放大器偏置电压保护电路。
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