[发明专利]一种半导体合成装置和合成方法

权利要求书

1.一种应用于水平布里奇曼法的半导体合成装置，其中，该合成装置包括密闭反应管、第一炉体和第二炉体，其中，所述第一炉体和所述第二炉体由中间管道连接，所述反应管放置在由所述第一炉体、所述中间管道、所述第二炉体共同限定的炉腔中，对应所述第一炉体和第二炉体分别单独设置温度控制装置，

其中，所述反应管在水平方向的不同位置处布置有多个水平舟容器，所述多个水平舟容器包括至少一个第一层水平舟容器，在所述第一层水平舟容器的至少一个上设置有支架装置，在所述支架装置上叠置一第二层水平舟容器，其中，所述支架装置设置为支撑所述第二层水平舟容器，并在所述第一层水平舟容器和第二层水平舟容器之间提供间隙。

2.根据权利要求1所述的半导体合成装置，在所述中间管道的外周包覆有保温材料。

3.根据权利要求1或2所述的半导体合成装置，其中，第一炉体和所述第二炉体至少之一的内侧壁进一步设置间隔层，以在间隔层包围空间内限定均匀加热的炉腔。

4.根据权利要求3所述的半导体合成装置，其中，所述间隔层构造为石英管、碳化硅管、莫来石管或其组合套管。

5.根据权利要求3所述的半导体合成装置，其中，所述密闭反应管在第一炉体和所述第二炉体中放置时，与所述内侧壁之间由所述间隔层隔开。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的半导体合成装置，其中，提供1000℃以下加热的温度控制装置包括2-4段控温单元，提供高于1000℃加热的温度控制装置包括5-7段控温单元。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的半导体合成装置，其中，所述第一炉体和所述第二炉体之间的间距为15-20cm。

8.根据权利要求2-7中任一项所述的半导体合成装置，其中，在所述中间管道的外周包覆的保温材料为低密度保温材料，其包覆厚度为3cm-5cm。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的半导体合成装置，其中，所述支架装置为单独设置的部件。

10.根据权利要求1-8中任一项所述的半导体合成装置，其中，所述支架装置与水平舟容器一体设置。

11.根据权利要求10所述的半导体合成装置，其中，所述支架装置与第一层水平舟容器的上部或者第二层水平舟容器的下部一体设置。

12.根据权利要求1-11中任一项所述的半导体合成装置，其中，所述水平舟容器包括主体部分，所述主体部分设置在水平舟容器大致中部，该主体部分的横截面为大致U形。

13.根据权利要求1-12中任一项所述的半导体合成装置，其中，所述支架装置为桥状部件，所述桥状部件两端分别搭扣于第一层水平舟的与所述反应管的轴向大致平行布置的两个侧壁上。

14.根据权利要求13所述的半导体合成装置，其中，所述支架装置的中部设置有下凹的弧状部，以与第二层水平舟容器的底部形状相符。

15.根据权利要求14所述的半导体合成装置，其中，所述弧状部的弧长占放置于该支架上的水平舟容器外表面长度的1/4-1/2，优选为1/3。

16.根据权利要求1-15中任一项所述的半导体合成装置，其中，所述支架还包括两个凹槽，所述凹槽用于将支架搭扣于水平舟容器上。

17.根据权利要求1-16中任一项所述的半导体合成装置，其中，所述支架装置的数量为2个以上。