[发明专利]一种混合式非失性存储装置

权利要求书

1.一种非易失性存储装置，其特征在于，包括混合于所述非易失性存储装置的NAND闪存、MRAM以及分别连接所述NAND闪存、MRAM的控制电路，所述MRAM的第一部分作为内存使用，所述MRAM的第二部分用来存储快速启动代码，所述MRAM的第三部分用作NAND闪存的缓存，所述MRAM的第四部分用作存储控制NAND闪存的必要信息；所述控制电路包括DDR接口、MRAM控制器、NAND闪存控制器、多通路选择器；所述多通路选择器控制以下三条双向路径：(1)所述DDR接口到所述MRAM控制器；(2)所述DDR接口到所述NAND闪存控制器；(3)所述MRAM控制器到所述NAND闪存控制器；在所述MRAM中存有所述存储装置的快速启动代码，所述存储装置启动时直接运行这些快速启动代码；在所述MRAM中存有外部系统主控芯片的快速启动代码，所述外部系统启动时通过所述DDR接口直接运行这些快速启动代码；对于所述DDR接口输入的地址，如果超越了所述MRAM的地址范围，所述控制电路将所述地址映射到所述NAND闪存中。

2.根据权利要求1所述的一种非易失性存储装置，其特征在于，所述MRAM控制器和所述NAND闪存控制器是专用集成电路或通用处理器。

3.根据权利要求1所述的一种非易失性存储装置，其特征在于，在所述MRAM中存储用于所述NAND闪存的逻辑物理地址对照表、损耗均衡表和NAND管理代码。

4.根据权利要求1所述的一种非易失性存储装置，其特征在于，所述MRAM、所述NAND闪存和所述控制电路组合封装在同一个COMBO芯片里。

5.根据权利要求4所述的一种非易失性存储装置，其特征在于，所述COMBO芯片还集成DRAM。