[发明专利]各向异性导电膜及其制造方法有效
| 申请号： | 201810699580.6 | 申请日： | 2013-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN109334132B | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 筱原诚一郎 | 申请（专利权）人： | 迪睿合电子材料有限公司 |
| 主分类号： | B32B3/08 | 分类号： | B32B3/08;B32B3/26;B32B27/18;B32B27/26;B32B27/06;B32B33/00;B29D7/01;H01L23/488;H05K3/32 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张桂霞;杨戬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 各向异性 导电 及其 制造 方法 | ||
1.各向异性导电膜，其是将由绝缘性树脂构成的第1连接层与第2连接层进行层叠而成的各向异性导电膜，其中，
第1连接层中排列有导电颗粒，
第1连接层中的导电颗粒附近的绝缘性树脂层在第2连接层的方向具有起伏，并且
在与第2连接层相反侧的第1连接层的表面，层叠有由绝缘性树脂构成的第3连接层。
2.权利要求1所述的各向异性导电膜，其中，第1连接层中的导电颗粒孤立地排列。
3.权利要求1所述的各向异性导电膜，其中，第1连接层中的导电颗粒附近的绝缘性树脂层形成山型。
4.权利要求1所述的各向异性导电膜，其中，导电颗粒陷入第2连接层中。
5.权利要求1所述的各向异性导电膜，其中，导电颗粒暴露在第2连接层的表面。
6.权利要求1所述的各向异性导电膜，其中，第1连接层中的导电颗粒附近的绝缘性树脂层比导电颗粒间的绝缘性树脂层厚度更厚。
7.权利要求1所述的各向异性导电膜，其中，相邻的导电颗粒间的中央区的绝缘性树脂层厚度t1薄于导电颗粒附近的绝缘性树脂层厚度t2，该相邻的导电颗粒间的中央区是指以相邻的导电颗粒间距离L的中点P为中心±L/4以内的区域。
8.连接结构体，其是利用权利要求1～7中任一项所述的各向异性导电膜将第1电子部件与第2电子部件进行各向异性导电连接而形成的连接结构体。
9.连接结构体的制造方法，该方法是利用权利要求1～7中任一项所述的各向异性导电膜将第1电子部件与第2电子部件进行各向异性导电连接。
10.利用权利要求1～7中任一项所述的各向异性导电膜将第1电子部件与第2电子部件进行各向异性导电连接的连接方法，其中，
对于第2电子部件，从与其第1连接层的具有起伏侧的相反侧暂且贴附各向异性导电膜，在暂且贴附的各向异性导电膜上搭载第1电子部件，从第1电子部件侧进行热压合。
11.用于制造各向异性导电膜的中间产物膜，所述中间产物膜是将由绝缘性树脂构成的第1连接层与第2连接层进行层叠而成的，其中，
第1连接层中排列有导电颗粒，
第1连接层中的导电颗粒附近的绝缘性树脂层在第2连接层的方向具有起伏。
12.权利要求11所述的中间产物膜，其中，第1连接层中的导电颗粒附近的绝缘性树脂层比导电颗粒间的绝缘性树脂层厚度更厚。
13.权利要求11或12所述的中间产物膜，其中，第1连接层中的导电颗粒附近的绝缘性树脂层形成山型。
14.权利要求11或12所述的中间产物膜，其中，第1连接层中的导电颗粒孤立地排列。
15.权利要求11或12所述的中间产物膜，其中，导电颗粒陷入第2连接层中。
16.权利要求11所述的中间产物膜，其中，相邻的导电颗粒间的中央区的绝缘性树脂层厚度t1薄于导电颗粒附近的绝缘性树脂层厚度t2，该相邻的导电颗粒间的中央区是指以相邻的导电颗粒间距离L的中点P为中心±L/4以内的区域。
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