[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 201810699906.5 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN109065682B | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 苏晨;王慧;肖扬;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 依次层叠 发光二极管外延 复合结构 晶格失配 衬底 盖层 垒层 源层 阱层 半导体技术领域 发光效率 晶格匹配 压电极化 缓冲层 外延片 制造 | ||
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述缓冲层、所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上；所述有源层包括依次层叠的多个复合结构，每个所述复合结构包括依次层叠的阱层、盖层和垒层，所述阱层的材料为InGaN，所述垒层的材料为GaN，其特征在于，所述盖层的材料为BxIn1-xN，0＜x＜1。
2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述盖层的厚度为1nm～2nm。
3.根据权利要求2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述阱层的厚度为3nm～8nm。
4.根据权利要求2或3所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述垒层的厚度为8nm～15nm。
5.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述复合结构的数量为5个～10个。
6.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，x沿所述盖层的层叠方向逐渐增大。
7.一种发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层；
其中，所述有源层包括依次层叠的多个复合结构，所述复合结构包括依次层叠的阱层、盖层和垒层，所述阱层的材料为InGaN，所述垒层的材料为GaN，所述盖层的材料为BxIn1-xN，0＜x＜1。
8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述盖层的生长压力小于或等于100torr。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述阱层的生长压力为150torr～300torr。
10.根据权利要求8或9所述的制造方法，其特征在于，所述垒层的生长压力为150torr～300torr。
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