[发明专利]输入管脚保护装置在审

专利信息
申请号: 201810703214.3 申请日: 2018-06-30
公开(公告)号: CN108718082A 公开(公告)日: 2018-10-30
发明(设计)人: 齐盛 申请(专利权)人: 杭州展虹科技有限公司
主分类号: H02H9/04 分类号: H02H9/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 310012 浙江省杭州市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 电阻 保护装置 输入管脚 二极管 过冲电压 有效地 对管
【说明书】:

发明公开了一种输入管脚保护装置。输入管脚保护装置包括第一二极管、第一电阻、第一NMOS管、第二电阻、第三电阻和第四电阻。利用本发明可以有效地防止过冲电压对管脚的损坏。

技术领域

本发明涉及输入管脚保护装置。

背景技术

在芯片管脚设计时考虑到输入管脚会有过冲电流的冲击而损坏,为此设置了输入管脚保护装置。

发明内容

本发明旨在提供一种输入管脚保护装置。

输入管脚保护装置,包括第一二极管、第一电阻、第一NMOS管、第二电阻、第三电阻和第四电阻:

所述第一二极管的N极接输入管脚PA,P极接所述第二电阻的一端和所述第一NMOS管的源极;

所述第一电阻的一端接输入管脚PA,另一端接所述第一NMOS管的漏极;

所述第一NMOS管的栅极接所述第三电阻的一端和所述第四电阻的一端,漏极接所述第一电阻的一端,源极接所述第一二极管的P极和所述第二电阻的一端;

所述第二电阻的一端接所述第一二极管的P极和所述第一NMOS管的源极,另一端接地;

所述第三电阻的一端接输入管脚PA,另一端接所述第四电阻的一端和所述第一NMOS管的栅极;

所述第四电阻的一端接所述第三电阻的一端和所述第一NMOS管的栅极;另一端接地。

正常工作情况下所述第一NMOS管是不工作的,当输入管脚PA有上冲电压时,此时所述第三电阻和所述第四电阻的电压都升高,当所述第四电阻上的电压使得所述第一NMOS管导通,上冲的电压就会经过所述第一电阻、所述第一NMOS管的源漏极和所述第二电阻这一通路进行泄放过冲电压;当输入管脚PA有下冲电压时,此时所述第二电阻和所述第一二极管形成一个通路可以对下冲电压进行补充。

附图说明

图1为本发明的输入管脚保护装置的电路图。

具体实施方式

以下结合附图对本发明内容进一步说明。

输入管脚保护装置,如图1所示,包括第一二极管10、第一电阻20、第一NMOS管30、第二电阻40、第三电阻50和第四电阻60:

所述第一二极管10的N极接输入管脚PA,P极接所述第二电阻40的一端和所述第一NMOS管30的源极;所述第一电阻10的一端接输入管脚PA,另一端接所述第一NMOS管30的漏极;所述第一NMOS管30的栅极接所述第三电阻50的一端和所述第四电阻60的一端,漏极接所述第一电阻20的一端,源极接所述第一二极管10的P极和所述第二电阻40的一端;所述第二电阻40的一端接所述第一二极管10的P极和所述第一NMOS管30的源极,另一端接地;所述第三电阻50的一端接输入管脚PA,另一端接所述第四电阻60的一端和所述第一NMOS管30的栅极;所述第四电阻60的一端接所述第三电阻50的一端和所述第一NMOS管30的栅极;另一端接地。

正常工作情况下所述第一NMOS管30是不工作的,当输入管脚PA有上冲电压时,此时所述第三电阻50和所述第四电阻60的电压都升高,当所述第四电阻60上的电压使得所述第一NMOS管30导通,上冲的电压就会经过所述第一电阻20、所述第一NMOS管30的源漏极和所述第二电阻40这一通路进行泄放过冲电压;当输入管脚PA有下冲电压时,此时所述第二电阻40和所述第一二极管10形成一个通路可以对下冲电压进行补充。

对上述所提供的实施方式的说明,仅是本发明的优选实施方式的说明,对本技术领域的技术人员来说能够根据以上说明进行实现或使用本发明。应当指出,对于本技术领域的技术人员来说,在不脱离本发明技术原理的前提下,还可以做出若干改进和变形,任何不超出本发明实质精神范围内的发明创造,应视为本发明的保护范围。

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