[发明专利]图像传感器及其形成方法

权利要求书

1.一种图像传感器，其特征在于，包括：

半导体衬底；

像素器件，位于所述半导体衬底内；

防反射薄膜，覆盖所述半导体衬底；

滤光器矩阵，堆叠于所述防反射薄膜上，每个所述滤光器矩阵包括多种不同颜色的滤光器；

其中，所述防反射薄膜对应于不同颜色的滤光器的区域具有不同的厚度，且所述厚度根据对应的滤光器的颜色波长确定。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述不同颜色的滤光器包括绿色滤光器、红色滤光器以及蓝色滤光器，

其中，所述防反射薄膜对应于绿色滤光器的区域的厚度为绿光波长的1/4的奇数倍；

所述防反射薄膜对应于红色滤光器的区域的厚度为红光波长的1/4的奇数倍；

所述防反射薄膜对应于蓝色滤光器的区域的厚度为蓝光波长的1/4的奇数倍。

3.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述防反射薄膜对应于红色滤光器的区域的厚度大于所述防反射薄膜对应于绿色滤光器的区域的厚度，所述防反射薄膜对应于绿色滤光器的区域的厚度大于所述防反射薄膜对应于蓝色滤光器的区域的厚度。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括：

第一介质层，覆盖所述防反射薄膜，且所述第一介质层的表面与所述半导体衬底的表面平行；

其中，所述滤光器矩阵位于所述第一介质层的表面。

5.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括：

堆叠层，所述堆叠层位于所述半导体衬底的表面，所述堆叠层包括堆叠的第二介质层与高介电常数层；

其中，所述防反射薄膜位于所述堆叠层的表面。

6.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有像素器件；

形成覆盖所述半导体衬底的防反射薄膜；

形成滤光器矩阵，所述滤光器矩阵堆叠于所述防反射薄膜上，每个所述滤光器矩阵包括多种不同颜色的滤光器；

其中，所述防反射薄膜对应于不同颜色的滤光器的区域具有不同的厚度，且所述厚度根据对应的滤光器的颜色波长确定。

7.根据权利要求6所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述形成覆盖所述半导体衬底的防反射薄膜包括：

形成覆盖所述半导体衬底的初始防反射薄膜；

分别形成多层掩膜层，所述多层掩膜层分别露出不同颜色的滤光器的区域；

分别以所述多层掩膜层为掩膜，对初始防反射薄膜进行多次刻蚀，以形成对应于不同颜色的滤光器的区域的防反射薄膜。

8.根据权利要求6所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述不同颜色的滤光器包括绿色滤光器、红色滤光器以及蓝色滤光器，

其中，所述防反射薄膜对应于绿色滤光器的区域的厚度为绿光波长的1/4的奇数倍；

所述防反射薄膜对应于红色滤光器的区域的厚度为红光波长的1/4的奇数倍；

所述防反射薄膜对应于蓝色滤光器的区域的厚度为蓝光波长的1/4的奇数倍。

9.根据权利要求8所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述防反射薄膜对应于红色滤光器的区域的厚度大于所述防反射薄膜对应于绿色滤光器的区域的厚度，所述防反射薄膜对应于绿色滤光器的区域的厚度大于所述防反射薄膜对应于蓝色滤光器的区域的厚度。

10.根据权利要求6所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，还包括：

在所述防反射薄膜的表面形成第一介质层，且所述第一介质层的表面与所述半导体衬底的表面平行；

其中，所述滤光器矩阵位于所述第一介质层的表面。

11.根据权利要求6所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，还包括：

在所述半导体衬底的表面形成第二介质层与高介电常数层的堆叠层；

其中，所述防反射薄膜位于所述堆叠层的表面。