[发明专利]导电膜结构及其制作方法、触控面板

说明书

本发明提供一种导电膜结构及其制作方法、触控面板。在该导电膜结构制作方法中，首先在基底上形成纳米金属层与透明膜层，然后在所述透明膜层内形成多个凹槽并暴露出所述纳米金属层，然后在所述凹槽内以及所述透明膜层上形成增粘层，所述增粘层通过所述凹槽与所述纳米金属层接触，能够减少纳米金属层中增粘层的渗入，又能保证增粘层发挥粘附性以及阻挡UV的功能，从而提高导电膜结构的导电性。

技术领域

本发明涉及触控技术领域，具体涉及一种导电膜结构及其制作方法、触控面板。

背景技术

触控设备因其便于操作、成像效果好、功能多元化等优点逐渐受到电子通讯行业的青睐，并广泛应用于资讯系统设备、家电设备、通讯设备、个人便携设备等产品上。而伴随近年来触控面板在通讯行业的迅速崛起，特别是在手机通讯行业的蓬勃发展，触控面板一举成为现今成像显示设备的首选产品。使用率最高的触控面板主要是电阻式触控面板和电容式触控面板，但是使用者出于可控性，易用性和表面外观的考虑，大多会选用电容式触控面板作为其最佳首选设备。

在传统智能手机的电容式触控面板中，触控电极的材料通常为氧化铟锡(简称为ITO)。ITO的透光率很高，导电性能较好。但随着触控面板尺寸的逐步增大，特别是应用于15寸以上的面板时，ITO的缺陷越来越突出，其中最明显的缺陷就是ITO的面电阻过大，价格昂贵，无法保证大尺寸触控面板良好的导电性能与足够的灵敏度，也无法适用于电子产品不断低价化的发展趋势。

正因如此，产业界一直在致力于开发ITO的替代材料，其中纳米银线(silvernanowires，简称SNW)作为一种新兴材料开始替代ITO成为优选的导电材料。纳米银线具有银优良的导电性，同时由于其纳米级别的尺寸效应，使得其具有优异的透光性与耐曲挠性，因此可用作替代ITO作为触控电极的材料，实现基于纳米银线的触控面板。

然而，纳米银线与柔性基底如PI的粘附能力较差，需要使用over coater(简称OC)作为介质，OC从纳米银线缝隙渗入纳米银线后增加其粘附性，但伴随而来的是其整体的导电性变差，无法达到使用纳米银线预期的效果。

发明内容

本发明的目的在于提供一种导电膜结构及其制作方法、触控面板，解决形成OC层后导电性能不足的问题。

为实现上述目的，本发明提供一种导电膜结构的制作方法，包括：

提供一基底，在所述基底上依次形成纳米金属层与透明膜层；

形成多个凹槽，所述凹槽位于所述透明膜层内且暴露出部分所述纳米金属层；以及，

形成增粘层，所述增粘层填满所述凹槽并覆盖所述透明膜层。

可选的，形成多个凹槽的步骤包括：

在所述透明膜层上形成一光刻胶层；

图形化所述光刻胶层；

以图形化的所述光刻胶层为掩膜，刻蚀所述透明膜层至暴露出部分所述纳米金属层，以形成多个凹槽；以及，

去除图形化的所述光刻胶层。

可选的，在刻蚀形成所述凹槽的过程中，刻蚀所述透明膜层之后还包括：对所述纳米金属层进行刻蚀至暴露出部分所述基底。

可选的，所述凹槽均匀分布于所述透明膜层内。

可选的，所述纳米金属层的材质包含纳米银线，所述增粘层的材质包含OC，所述透明膜层的材质包含氧化硅或ITO。

相应的，本发明还提供一种导电膜结构，包括：

依次位于所述基底上的纳米金属层、透明膜层以及增粘层，其中，所述增粘层通过凹槽嵌入所述透明膜层内，并与所述纳米金属层相接触。

可选的，所述凹槽的底部暴露出所述纳米金属层。