[发明专利]纳米银线结构及其制备方法、显示面板有效

专利信息
申请号: 201810704634.3 申请日: 2018-06-30
公开(公告)号: CN108899279B 公开(公告)日: 2021-03-02
发明(设计)人: 张凤莉 申请(专利权)人: 广州国显科技有限公司
主分类号: H01L21/3205 分类号: H01L21/3205;H01L21/321;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 周耀君
地址: 511300 广东省广州市增城区永*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 纳米 结构 及其 制备 方法 显示 面板
【说明书】:

发明揭示了一种纳米银线结构及其制备方法,本发明提供的纳米银线结构及其制备方法中,纳米银线膜层中至少在相邻纳米银线的交叉处被惰性金属覆盖,则交叉处被较好的固定,由此可以增加纳米银线膜层的附着力,防止剥离。

技术领域

本发明涉及银纳米材料及其应用领域,特别是涉及一种纳米银线结构及其制备方法、显示面板。

背景技术

透明导体因其可以应用于诸如触控面板(touch panel)、液晶显示器(liquidcrystal display)、薄膜光电池(thin film photo voltaic cells)及有机发光二极管器件(organic light emitting diode devices)等领域,其需求量逐年增长。

目前,透明导电材料以氧化铟锡(indiumtin oxide,ITO)为主,其具有优异的透光率及导电性。但是,这类透明导电材料通常利用溅射工艺沉积而成,制备温度高,并且其中含有稀缺性金属使得价格昂贵,这类薄膜受弯折时还容易断裂,因而不适于制备柔性器件,这就导致ITO的性能以及产量存在诸多限制。因此,目前出现了以纳米银线(Silver NanoWires,SNW)1(如图1所示)替代ITO作为导电材料制备的透明导体。与ITO相比,纳米银线不仅具有良好的光学、电学以及力学性能,还具有金属纳米线表面积大和量子尺寸效应等特点。

但是,目前纳米银线的附着性特别差,进而使得灵敏度差,导电能力差。

发明内容

本发明的目的在于,提供一种纳米银线结构及其制备方法、显示面板,增加纳米银线的附着力,防止剥离。

为解决上述技术问题,本发明提供一种纳米银线结构,包括:

基底;以及

位于所述基底上的纳米银线膜层,所述纳米银线膜层中至少在相邻纳米银线的交叉处被惰性金属覆盖。

可选地,对于所述的纳米银线结构,所述惰性金属包括金或铂。

可选地,对于所述的纳米银线结构,还包括:位于所述基底和所述纳米银线膜层之间的金属层,所述金属层包括多个独立的子金属层。

可选地,对于所述的纳米银线结构,所述纳米银线膜层为多层子膜层堆叠结构,相邻子膜层之间由绝缘层隔离。

本发明还提供一种纳米银线结构的制备方法,包括:

提供基底;以及

在所述基底上形成纳米银线膜层,所述纳米银线膜层中至少在相邻纳米银线的交叉处被惰性金属覆盖。

可选地,对于所述的纳米银线结构的制备方法,在所述基底上形成纳米银线膜层的步骤包括:

在基底上涂布纳米银线溶液;

进行干燥工艺以蒸发所述纳米银线溶液中的溶剂,形成纳米银线膜层;以及

对所述纳米银线膜层施加惰性金属盐溶液,至少在相邻纳米银线的交叉处惰性金属盐与纳米银线发生置换反应。

可选地,对于所述的纳米银线结构的制备方法,在所述基底上形成纳米银线膜层的步骤包括:

采用物理气相沉积工艺在所述基底上形成一层金属层;

对所述金属层进行图案化获得多个相互独立的子金属层;

在形成有所述金属层的基底上涂布纳米银线溶液;

进行干燥工艺以蒸发所述纳米银线溶液中的溶剂,形成纳米银线膜层;以及

对所述纳米银线膜层施加惰性金属盐溶液,至少在相邻纳米银线的交叉处惰性金属盐与纳米银线发生置换反应。

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