[发明专利]纳米银线结构及其制备方法、显示面板有效
申请号: | 201810704634.3 | 申请日: | 2018-06-30 |
公开(公告)号: | CN108899279B | 公开(公告)日: | 2021-03-02 |
发明(设计)人: | 张凤莉 | 申请(专利权)人: | 广州国显科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/3205 | 分类号: | H01L21/3205;H01L21/321;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 周耀君 |
地址: | 511300 广东省广州市增城区永*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 纳米 结构 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
本发明揭示了一种纳米银线结构及其制备方法,本发明提供的纳米银线结构及其制备方法中,纳米银线膜层中至少在相邻纳米银线的交叉处被惰性金属覆盖,则交叉处被较好的固定,由此可以增加纳米银线膜层的附着力,防止剥离。
技术领域
本发明涉及银纳米材料及其应用领域,特别是涉及一种纳米银线结构及其制备方法、显示面板。
背景技术
透明导体因其可以应用于诸如触控面板(touch panel)、液晶显示器(liquidcrystal display)、薄膜光电池(thin film photo voltaic cells)及有机发光二极管器件(organic light emitting diode devices)等领域,其需求量逐年增长。
目前,透明导电材料以氧化铟锡(indiumtin oxide,ITO)为主,其具有优异的透光率及导电性。但是,这类透明导电材料通常利用溅射工艺沉积而成,制备温度高,并且其中含有稀缺性金属使得价格昂贵,这类薄膜受弯折时还容易断裂,因而不适于制备柔性器件,这就导致ITO的性能以及产量存在诸多限制。因此,目前出现了以纳米银线(Silver NanoWires,SNW)1(如图1所示)替代ITO作为导电材料制备的透明导体。与ITO相比,纳米银线不仅具有良好的光学、电学以及力学性能,还具有金属纳米线表面积大和量子尺寸效应等特点。
但是,目前纳米银线的附着性特别差,进而使得灵敏度差,导电能力差。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种纳米银线结构及其制备方法、显示面板,增加纳米银线的附着力,防止剥离。
为解决上述技术问题,本发明提供一种纳米银线结构,包括:
基底;以及
位于所述基底上的纳米银线膜层,所述纳米银线膜层中至少在相邻纳米银线的交叉处被惰性金属覆盖。
可选地,对于所述的纳米银线结构,所述惰性金属包括金或铂。
可选地,对于所述的纳米银线结构,还包括:位于所述基底和所述纳米银线膜层之间的金属层,所述金属层包括多个独立的子金属层。
可选地,对于所述的纳米银线结构,所述纳米银线膜层为多层子膜层堆叠结构,相邻子膜层之间由绝缘层隔离。
本发明还提供一种纳米银线结构的制备方法,包括:
提供基底;以及
在所述基底上形成纳米银线膜层,所述纳米银线膜层中至少在相邻纳米银线的交叉处被惰性金属覆盖。
可选地,对于所述的纳米银线结构的制备方法,在所述基底上形成纳米银线膜层的步骤包括:
在基底上涂布纳米银线溶液;
进行干燥工艺以蒸发所述纳米银线溶液中的溶剂,形成纳米银线膜层;以及
对所述纳米银线膜层施加惰性金属盐溶液,至少在相邻纳米银线的交叉处惰性金属盐与纳米银线发生置换反应。
可选地,对于所述的纳米银线结构的制备方法,在所述基底上形成纳米银线膜层的步骤包括:
采用物理气相沉积工艺在所述基底上形成一层金属层;
对所述金属层进行图案化获得多个相互独立的子金属层;
在形成有所述金属层的基底上涂布纳米银线溶液;
进行干燥工艺以蒸发所述纳米银线溶液中的溶剂,形成纳米银线膜层;以及
对所述纳米银线膜层施加惰性金属盐溶液,至少在相邻纳米银线的交叉处惰性金属盐与纳米银线发生置换反应。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州国显科技有限公司,未经广州国显科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810704634.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:图案化的纳米银线薄膜及触控面板的制造方法
- 下一篇:显示屏及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造