[发明专利]膜层结构、太阳能组件及太阳能组件的制备方法在审
申请号: | 201810704875.8 | 申请日: | 2018-07-02 |
公开(公告)号: | CN110739353A | 公开(公告)日: | 2020-01-31 |
发明(设计)人: | 黄亮 | 申请(专利权)人: | 北京汉能光伏投资有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 11584 北京智晨知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张婧 |
地址: | 101400 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 膜层结构 太阳能组件 申请 制备 矩阵式 突起层 自清洁 基板 应用 制造 | ||
1.一种膜层结构,设置于基板上,其特征在于,所述膜层结构的表面设置有矩阵式突起层。
2.根据权利要求1所述的膜层结构,其特征在于,所述矩阵式突起层为无机疏水层;
可选地,所述无机疏水层为Si3N4膜层,
或者,所述无机疏水层为掺杂有重金属离子的Si3N4膜层;可选地,所述重金属离子选自Ti4+、Pd2+和Er3+中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的膜层结构,其特征在于,还包括:有机高分子聚合物膜层;
所述有机高分子聚合物膜层设置在所述无机疏水层上;
可选地,所述有机高分子聚合物膜层的材料为硅烷、氟碳高聚物或硅烷与氟碳高聚物的组合。
4.根据权利要求1所述的膜层结构,其特征在于,所述矩阵式突起层中单个矩阵的宽度区间为[100nm,200nm],长度区间为[100nm,200nm]。
5.一种太阳能组件,其特征在于,包括透光前板,所述透光前板上设置如权利要求1至4中任一项所述的膜层结构。
6.根据权利要求5所述的太阳能组件,其特征在于,所述透光前板包括:基板和增透膜系;
所述增透膜系设置在所述基板上,且所述膜层结构设置在所述增透膜系上。
7.根据权利要求6所述的太阳能组件,其特征在于,所述增透膜系包括:包括交替堆叠的高折射率增透膜层和低折射率增透膜层;
所述高折射率增透膜层选自Nb2O5膜、Si3N4膜、SiONx膜和SnO2膜中的至少一种;所述低折射率增透膜层选自SiO2膜和MgF2膜中的至少一种。
8.一种太阳能组件的制备方法,其特征在于,包括:
在透光前板上设置如权利要求1至4中任一项所述的膜层结构。
9.根据权利要求8所述的太阳能组件的制备方法,其特征在于,所述在透光前板上设置如权利要求1至4中任一项所述的膜层结构,具体包括:
在透光前板上设置无机疏水层;
对所述无机疏水层进行表面处理,令所述无机疏水层形成所述矩阵式突起层;
可选地,所述对所述无机疏水层进行表面处理,令所述无机疏水层形成所述矩阵式突起层,具体包括:
在所述无机疏水层上涂布感光胶;
经曝光,碱水洗,酸洗,令所述无机疏水层形成所述矩阵式突起层;
可选地,所述无机疏水层为Si3N4膜,或者所述无机疏水层为掺杂有重金属离子的Si3N4膜层;可选地,所述重金属离子选自Ti4+、Pd2+和Er3+中的至少一种。
10.根据权利要求9所述的太阳能组件的制备方法,其特征在于,所述令所述无机疏水层形成所述矩阵式突起层后,还包括:
在所述无机疏水层上设置有机高分子聚合物膜层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的