[发明专利]一种工艺控制方法有效
申请号: | 201810706079.8 | 申请日: | 2018-06-26 |
公开(公告)号: | CN108899287B | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
发明(设计)人: | 吴晓彤;聂钰节 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 工艺 控制 方法 | ||
1.一种工艺控制方法,其特征在于,所述工艺控制方法包括以下步骤:
对一晶圆进行特定工艺加工,并对加工后的所述晶圆的至少一个相关工艺参数进行实时的数据采集,通过现有APC系统对采集的数据进行分析形成所述特定工艺的基础控制参数;
对一量测标准片进行所述特定工艺加工,利用多个不同量测机台分别测量所述量测标准片的一工艺尺寸得到多个尺寸值;
将多个所述尺寸值的其中一个和一标准值的差值作为量测影响因子;
在所述的基础控制参数中加入所述量测影响因子形成标准控制参数,通过所述标准控制参数控制下批次晶圆进行所述特定工艺;
其中,所述标准值通过计算多个所述尺寸值的加权平均值得出;
所述将多个所述尺寸值的其中一个和一标准值的差值作为量测影响因子包括:
选取各所述尺寸值中和所述标准值能形成的最大差值作为量测影响因子;或,选取各所述尺寸值中出现概率最大的尺寸值和所述标准值的差值作为量测影响因子。
2.如权利要求1所述的工艺控制方法,其特征在于,各所述量测机台分别对所述量测标准片的所述工艺尺寸进行多次测量从而得到代表所述量测机台的所述尺寸值。
3.如权利要求1所述的工艺控制方法,其特征在于,所述量测机台为光学线宽测量仪。
4.如权利要求1所述的工艺控制方法,其特征在于,所述量测机台为电子扫描电镜。
5.如权利要求1所述的工艺控制方法,其特征在于,所述特定工艺为显影工艺。
6.如权利要求1所述的工艺控制方法,其特征在于,所述特定工艺为刻蚀工艺。
7.如权利要求1所述的工艺控制方法,其特征在于,所述工艺尺寸为线宽。
8.如权利要求1所述的工艺控制方法,其特征在于,经过同种所述特定工艺加工过的所述量测标准片、所述晶圆以及所述下批次晶圆,所述量测标准片的所述工艺尺寸小于或等于所述晶圆的所述工艺尺寸,且小于或等于所述下批次晶圆的所述工艺尺寸。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造