[发明专利]远红外瓷砖的制备方法

权利要求书

1.一种远红外瓷砖的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

坯体成型，并将坯体置于150℃-200℃的条件下，干燥70min-100min；

在干燥后的坯体表面施远红外底釉，并将施远红外底釉后的坯体置于1200℃-1280℃的条件下，烧结30min-45min，得到素坯；

在素坯的表面施远红外面釉，并将施远红外面釉后的素坯置于600℃-1120℃的条件下，烧结60min-110min，得到半成品；

利用包括树脂磨块和弹性磨块的抛光线，对半成品进行抛光、磨边，得到成品；

对成品表面进行超洁亮处理，以使成品表面的光泽度达85度－95度，即得远红外瓷砖；

所述远红外底釉的组分包括氧化铝、氧化硅、氧化钙、氧化钾、氧化镁、氧化钡、远红外添加剂、苯乙烯、及三硅氧烷乙二醇；

所述远红外面釉的组分包括氧化铝、氧化硅、氧化钙、氧化钾、氧化镁、氧化钡、氧化钠、远红外添加剂、苯乙烯、及三硅氧烷乙二醇；

所述远红外添加剂的组分包括高岭土、长石、石英、纳米电气石、碳化锆、二氧化锆。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述远红外底釉的各组分的质量分数为：

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述远红外面釉的各组分的质量分数为：

4.如权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，所述苯乙烯与所述三硅氧烷乙二醇的质量比为(1-2):5。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述远红外面釉的组分还包括脂肪醇磺酸盐和硅醇类非离子表面活性剂；

所述远红外底釉的组分还包括脂肪醇磺酸盐和硅醇类非离子表面活性剂。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述纳米电气石为改性纳米电气石。

7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述纳米电气石包括纳米黑电气石、纳米锂电气石、及纳米镁电气石中的至少一种。

8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述将施远红外面釉后的素坯置于600℃-1120℃的条件下，烧结60min-110min，得到半成品的步骤，包括：

将施远红外面釉后的素坯升温至600℃，烧制2min-6min，使得坯体含水率降低至0.5％以下；

以10℃/min的升温速率，升温至890℃-1120℃；

以10℃/min的降温速率，降温至600℃；

冷却，得到半成品。

9.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述在素坯的表面施远红外面釉的步骤中，所述远红外面釉的流速为28s-32s，所述远红外面釉的比重为1.85g/ml-1.95g/ml，所述远红外面釉的施加量为1005g/m²-1020g/m²。

10.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述在干燥后的坯体表面施远红外底釉的步骤中，所述远红外底釉的流速为28s-32s，所述远红外底釉的比重为1.85g/ml-1.95g/ml，所述远红外底釉的施加量为450g/m²-470g/m²，所述远红外底釉的细度为经325目筛后干料重量百分比为0.4％-0.6％。