[发明专利]一种晶体硅太阳能电池的扩散工艺

权利要求书

1.一种晶体硅太阳能电池的扩散工艺，其特征在于，包括以下步骤：

S1.将扩散炉预热至780～800℃，并通氮气；

S2.将制绒清洗后的硅片送入所述扩散炉内，保持所述扩散炉的温度在750～780℃，同时通氮气；

S3.将所述扩散炉保持在750～800℃，以18～20L/min的流量通入氮气，以0.5～1.5L/min的流量通入氧气，氧气与硅片表面的硅反应生成一层二氧化硅层；

S4.将所述扩散炉保持在750～800℃，以18～20L/min的流量通入氮气，以0.3～0.5L/min的流量通入氧气，以0.3～0.5L/min的流量通入三氯氧磷源，时间为200～400s；

S5.将所述扩散炉保持在750～800℃，以14～20L/min的流量通入氮气，以0.5～0.8L/min的流量通入氧气，以0.7～1.0L/min的流量通入三氯氧磷源，时间为600～800s；

S6.将所述扩散炉升温并保持在810～850℃，通氮气，时间为500～700s；

S7.将所述扩散炉保持在810～850℃，以15～20L/min的流量通入氮气，以0.5～0.8L/min的流量通入氧气，以1.4～2.0L/min的流量通入三氯氧磷源，时间为400～600s；

S8.将所述扩散炉保持在810～850℃，通氮气，时间为100～200s；

S9.将所述扩散炉降温并保持在700～780℃，以20～30L/min的流量通入氮气，以1～2L/min的流量通入氧气，时间为600～1200s；

S10.将所述扩散炉保持在780～800℃，通氮气，退舟。

2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池的扩散工艺，其特征在于，步骤S1中，将扩散炉预热至780～800℃，以20L/min的流量通入氮气，时间为5s。

3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池的扩散工艺，其特征在于，步骤S2中，将制绒清洗后的硅片送入所述扩散炉内，保持所述扩散炉的温度在750～780℃，以20L/min的流量通入氮气，时间为300s。

4.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池的扩散工艺，其特征在于，步骤S3的时间为300s。

5.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池的扩散工艺，其特征在于，步骤S10中，将所述扩散炉保持在780～800℃，以20L/min的流量通入氮气，时间为300～500s。

6.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池的扩散工艺，其特征在于，还包括步骤S11.将所述扩散炉保持在780～800℃，以15～20L/min的流量通入氮气，时间为5s。

7.根据权利要求1-6任一所述的晶体硅太阳能电池的扩散工艺，其特征在于，步骤S6中，温度从炉口到炉尾保持在840℃、835℃、835℃、830℃、830℃。

8.根据权利要求7所述的晶体硅太阳能电池的扩散工艺，其特征在于，步骤S7中，温度从炉口到炉尾保持在840℃、835℃、835℃、830℃、830℃。

9.根据权利要求8所述的晶体硅太阳能电池的扩散工艺，其特征在于，步骤S8中，温度从炉口到炉尾保持在840℃、835℃、835℃、830℃、830℃。

10.根据权利要求9所述的晶体硅太阳能电池的扩散工艺，其特征在于，步骤S1、S2、S3、S4、S5、S9、S10中，所述扩散炉的炉口到炉尾温度一致。