[发明专利]一种光通信波段多波长半导体激光器的制备方法

权利要求书

1.一种光通信波段多波长半导体激光器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤S1:在N-InP衬底片上，通过PECVD沉积SiO₂介质层，通过光刻形成不同宽度的选择生长区域；

步骤S2:通过MOCVD生长缓冲层、下波导层、量子阱、上波导层、间隔层、光栅层结构完成选择生长区域生长；

步骤S3:采用电子束光刻在选择生长区域制备光栅，通过腐蚀形成周期光栅，所述周期光栅发光波长在选择生长区域量子阱 的电致发光峰值波长左侧的5nm位置处，外延再生长光栅覆盖层；

所述步骤S3具体为：

步骤S31:采用电子束光刻沿选择生长区域中间10μm刻写光栅，步骤S32:用溴素系腐蚀液在室温下腐蚀形成周期光栅；

步骤S33:最后通过MOCVD生长P-InP、P-InGaAs和P-InP层，完成基片的生长;

步骤S4:采用掩埋异质结激光器工艺，在选择生长区域的中心部分腐蚀形成台面，外延生长PNP电流阻挡层，并去除脊型表面的介质层，外延进行最后生长；

步骤S5:通过光刻在不同选择生长区域中间形成脊型结构，采用溴素系腐蚀溶液腐蚀脊型结构形成双沟电流限制结构，并进行脊型表面开孔；

步骤S6:进行电子束蒸发P面金属，减薄，电子束蒸发N面金属，合金，解离形成巴条，腔面镀膜完成激光器的制备；

所述步骤S6具体为：

步骤S61:采用电子束蒸发Ti/Pt/Au P型金属，减薄，并采用电子束蒸发GeAu/Ni/Au N型金属，合金形成欧姆接触；

步骤S62:通过解离形成巴条，电子束蒸发光学薄膜完成激光制备。

2.根据权利要求1所述的一种光通信波段多波长半导体激光器的制备方法，其特征在于：所述步骤S1具体为：

步骤S11:在N-InP衬底上，通过PECVD沉积150nm SiO₂介质层，光刻在片子上形成不同选择生长区域;

步骤S12:刻蚀曝光区域介质层，去胶，进行片子表面处理，放入外延生长炉中生长外延结构。

3.根据权利要求1所述的一种光通信波段多波长半导体激光器的制备方法，其特征在于：所述步骤S4具体为：

步骤S41:去除表面P-InP；

步骤S42: 采用PECVD沉积200nm SiO₂介质层，光刻在选择生长区域中间形成脊条形状；

步骤S43:采用溴素系腐蚀液腐蚀形成脊型结构，有源区宽度控制在1.5μm；

步骤S44:采用MOCVD依次生长P-InP、N-InP和P-InP的电流阻挡结构;

步骤S45:去除N-InP衬底片表面介质层和P-InGaAs，去离子水冲洗氮气吹干;

步骤S46:通过MOCVD生长P-InP空间层和P-InGaAs接触层，完成外延生长。

4.根据权利要求1所述的一种光通信波段多波长半导体激光器的制备方法，其特征在于：所述步骤S5具体为：

步骤S51:通过PECVD沉积200nm SiO₂介质层，光刻，采用溴素系腐蚀液室温下腐蚀，形成双沟电流限制结构；

步骤S52:去除介质层，沉积400nm SiO₂钝化层，利用光刻在脊型顶部开孔。