[发明专利]一种LED表面粗化芯片的生长方法

权利要求书

1.一种LED表面粗化芯片的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：

a)LED芯片自上而下具备P-GaN层（2）、量子阱层（3）以及N-GaN层（4），在LED芯片P-GaN层（2）的表面通过PECVD方法生长一层氧化硅或氮化硅膜（1）；

b)以氧化硅或氮化硅膜（1）作为掩膜，使用粗化液粗化LED芯片外延片表面，粗化后冲水处理，冲水后进行烘干，取出表面残留粗化液；

c)在氧化硅或氮化硅膜（1）表面涂覆正性光刻胶，在正性光刻胶上制出电流阻挡层图形，使用化学腐蚀法对电流阻挡层图形外的氧化硅或氮化硅膜（1）进行湿法腐蚀，腐蚀出电流阻挡层后去除氧化硅或氮化硅膜（1）表面的正性光刻胶；

d)在P-GaN层（2）及电流阻挡层上生长一层透明导电膜（5）；

e)在透明导电膜（5）表面涂覆正性光刻胶，对涂覆的正性光刻胶进行光刻，光刻出电流扩展层台面图形，使用化学腐蚀法对电流扩展层台面图形进行湿法腐蚀，腐蚀出电流扩展层图形；

f)在透明导电膜（5）及电流扩展层图形上涂覆正性光刻胶，形成光刻胶层（6），对光刻胶层（6）进行光刻，光刻出P型GaN台面结构图形，在P型GaN台面结构图形处通过干法刻蚀沿P-GaN层（2）刻蚀至N-GaN层（4），刻蚀完成后去除光刻胶层（6）；

g)在P-GaN层（2）、氧化硅或氮化硅膜（5）及透明导电膜（5）上生长一层氧化硅膜，作为钝化层（7）；

h)在LED芯片表面甩匀负性光刻胶，依次经曝光、显影和腐蚀后在钝化层（7）上制作成P型电极和N型电极结构的光刻胶图形；

i)在P型电极和N型电极结构的光刻胶图形上蒸镀金属电极，蒸镀后剥离清洗形成P电极和N电极。

2.根据权利要求1所述的LED表面粗化芯片的生长方法，其特征在于：步骤a)中通过PECVD方法生长氧化硅或氮化硅膜（1）时使用SiH4气体和/或N20气体和/或N2气体和/或O2气体。

3.根据权利要求2所述的LED表面粗化芯片的生长方法，其特征在于：步骤a)中SiH4气体的流量为600-800sccm、N20气体的流量为200-700sccm，N2气体的流量为200-400sccm，O2气体的流量为10-1000sccm。

4.根据权利要求1所述的LED表面粗化芯片的生长方法，其特征在于：步骤c)中正性光刻胶厚度为10000-30000埃。

5.根据权利要求1所述的LED表面粗化芯片的生长方法，其特征在于：步骤d)中透明导电膜（5）采用氧化铟锡或氧化锌或氧化锌铝，透明导电膜（5）的厚度为500-3000埃。

6.根据权利要求1所述的LED表面粗化芯片的生长方法，其特征在于：步骤e)中正性光刻胶厚度为10000-30000埃。

7.根据权利要求1所述的LED表面粗化芯片的生长方法，其特征在于：步骤f)中干法刻蚀的深度为10000-23000埃。

8.根据权利要求1所述的LED表面粗化芯片的生长方法，其特征在于：步骤g)中钝化层（7）的厚度为500-3000埃。

9.根据权利要求1所述的LED表面粗化芯片的生长方法，其特征在于：步骤h)中负性光刻胶的厚度为10000-30000埃。