[发明专利]碳纳米结构体生长用CVD装置及碳纳米结构体的制造方法

权利要求书

1.一种碳纳米结构体生长用CVD装置，其特征在于，具有：

处理炉；

运送装置，以通过处理炉内的方式运送处理对象物；

气体导入装置，向处理炉内导入含碳的原料气体；以及

加热装置，加热原料气体；

所述碳纳米结构体生长用CVD装置使碳纳米结构体在通过处理室内的处理对象物的表面上生长；

运送装置具有放置处理对象物并以规定速度移动的带状体，在该带状体上形成允许碳纳米结构体向处理对象物的放置面侧生长的多个开口；

在所述碳纳米结构体生长用CVD装置中，网眼体介于带状体和处理对象物之间。

2.根据权利要求1所述的碳纳米结构体生长用CVD装置，其特征在于：

所述带状体由网眼带构成；

所述网眼体是由外径比构成所述网眼带的线材小的线材组成的带状的网眼体，随着所述网眼带的移动而移动。

3.根据权利要求1或2所述的碳纳米结构体生长用CVD装置，其特征在于：

所述网眼体的开口率设置在50～99.8％的范围内。

4.一种碳纳米结构体的制造方法，使用权利要求1至3中任一项所述的碳纳米结构体生长用CVD装置，其特征在于，所述碳纳米结构体的制造方法包括：

准备工序，在将带状体和网眼体重叠后，将处理对象物放置到网眼体上；以及

生长工序，使带状体和网眼体在处理炉内移动，在通过处理炉内的期间使加热后的原料气体与处理对象物表面接触，使碳纳米结构体在该处理对象物表面生长；

在所述生长工序中，碳纳米结构体经过下述阶段而生长，即：在处理对象物的放置面侧生长的碳纳米结构体分别与构成网眼体的各线材接触的第一阶段；以及与各线材接触的碳纳米结构体进一步生长，通过这些生长的碳纳米结构体承载处理对象物的第二阶段。