[发明专利]薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201810708062.6 | 申请日： | 2014-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN108546922A | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 朴在佑;金东朝;朴柱玉;孙仁成;尹相元;李建孝;李镕晋;李伦圭;金度贤;全祐奭 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 王慧敏;刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 氧化物层 氧化锌基 溅射靶 烧结体 氧化锌 阻挡层 铜层 溅射沉积 氧化硅层 漏电极 氧化铟 源电极 栅电极 布线 沉积 掺杂 | ||
1.一种薄膜晶体管，包括：
铜层，包括栅电极、源电极、漏电极和/或布线；
阻挡层，通过使用氧化锌基溅射靶的溅射沉积在铜层上，所述氧化锌基溅射靶具有烧结体，所述烧结体包括掺杂有基于氧化锌重量的1％w/w至50％w/w范围内的氧化铟的氧化锌；以及
氧化物层，沉积在阻挡层的顶部上，
其中，氧化物层是氧化硅层。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述阻挡层具有10μm至5000μm范围内的晶体尺寸。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述阻挡层具有30nm至50nm范围内的厚度。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其中，所述阻挡层具有1×10-1Ω·㎝至1×10-3Ω·㎝范围内的电阻率。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述烧结体具有1×10-2Ω·㎝或更小的电阻率。
6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述氧化锌基溅射靶能够执行直流溅射。
7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述氧化物溅射靶还包括施加到所述氧化锌基溅射靶的0.1W/cm2至8W/cm2范围内的功率密度。
8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述烧结体具有5.6g/cm3或更大的密度。
9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，氧化铟的聚集体以小于1μm的尺寸分散在所述烧结体内。
10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述烧结体包括属于元素周期表第3族的一种或更多种元素，或者包括属于元素周期表第4族的一种或更多种元素，或者包括来自元素周期表第3族或第4族的两种或更多种元素的组合。
11.一种薄膜晶体管，包括：
铜电极；
氧化物层，沉积在铜电极上；以及
氧化锌基阻挡层，通过氧化锌基溅射靶沉积在铜电极上，所述氧化锌基阻挡层适合于抑制铜向氧化物层中的扩散，
其中，所述氧化锌基溅射靶包括：烧结体，包括掺杂有基于氧化锌重量的1％w/w至50％w/w范围内的氧化铟的氧化锌；背衬板，结合到烧结体的背面，所述背衬板支撑所述烧结体；
其中，氧化物层是氧化硅层。
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