[发明专利]一种陶瓷基电子线路的制备方法

权利要求书

1.一种陶瓷基电子线路的制备方法，其特征在于，包含如下步骤：

S1) 制备陶瓷基体：将陶瓷粉体原料和相应的有机添加剂，利用挤出成型、流延成型、等静压成型、干压成型、注射成型工艺中的一种或几种的组合，制备成陶瓷基体的素胚；将素胚置高温烧结，得到所述陶瓷基体；再利用机械切割、打磨、抛光工艺中的一种或几种组合进行加工得到的陶瓷基体，所述陶瓷基体表面粗糙度的Ra值为0.02μm~1μm；

S2) 制备表面保护层：利用有机和/或无机溶质在稀释剂中溶解稀释，制备得到保护层溶液，将所述保护层溶液均匀涂覆在步骤S1得到的所述陶瓷基体的外表面，并进行烘干固化以排除稀释剂，得到所述表面保护层；步骤S2中，所述有机和/或无机溶质选自烷基苯磺酸钠、脂肪醇硫酸钠、脂肪醇聚氧乙烯醚、聚醚、硅油、三聚磷酸钠、聚丙烯酸钠、硫酸钠、品红、EDTA、CMC和PVP中的一种或多种，所述稀释剂选自去离子水、甲醇、乙醇、乙酸丁酯、丁酮、松油醇、乙基纤维素中的一种或多几种；

S3) 制备电子线路轮廓：按照电子线路的三维尺寸要求，利用激光器光源，对步骤S2所述陶瓷基体表面进行激光雕刻，将所需雕刻图案划分为中心区域和边框区域两部分；雕刻中心区域的激光输出功率为激光光源额定功率的40%~100%，激光雕刻次数为1~3次，激光雕刻线间距为0.01mm~0.1mm；雕刻边框区域的激光输出功率为激光光源额定功率的20%~40%，激光雕刻次数为3~6次，激光雕刻线间距为0.01mm~0.05mm；得到电子线路的三维轮廓；

S4) 表面改性处理：配置表面改性剂，将步骤S3雕刻后的所述陶瓷基体浸泡入表面改性剂当中，去除残留的表面保护层，同时进一步增大陶瓷基体上被雕刻区域的粗糙度，以及使被雕刻区域表面吸附大量的羟基官能团，有利于提高陶瓷基体与后续所制备的电子线路之间的界面结合；步骤S4中，所述表面改性剂为液相胶体，其中，胶质粒子为聚碳酸酯系高分子和/或氨基硅烷偶联剂，所述聚碳酸酯系高分子为带羟基官能团改性的聚碳酸酯系高分子，所述液相胶体的溶剂为去离子水、甲醇、乙醇、乙酸丁酯、丁酮、松油醇、乙基纤维素、氢氧化钠、硫酸、盐酸中的一种或多种；所述胶质粒子的浓度为1g/L~50g/L，表面改性剂的温度为55^oC~75^oC，浸泡时间为30min~50min；

S5) 利用常规的化镀和/或电镀工艺，在步骤S4表面改性后的所述陶瓷基体上制备电子线路本身。

2.根据权利要求1所述的陶瓷基电子线路的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述陶瓷粉体原料选自氧化锆、氧化铝、氧化钛、氧化镁、碳化硅、氮化硅、氮化硼、氮化铝、莫来石、堇青石、稀土锰氧化物、碱金属硅酸盐以及金属磷酸盐中的一种或几种的组合。

3.根据权利要求1所述的陶瓷基电子线路的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述表面保护层溶液浓度为1g/L~20g/L，所述表面保护层厚度为5um~100um。

4.根据权利要求1所述的陶瓷基电子线路的制备方法，其特征在于，步骤S3中，所述激光器的光源为中心波长为紫外248nm至红外1064nm波段的纳秒、皮秒或飞秒脉冲激光光源，激光输出功率范围3W~100W。