[发明专利]显示面板及显示装置有效
申请号: | 201810708417.1 | 申请日: | 2018-07-02 |
公开(公告)号: | CN108615752B | 公开(公告)日: | 2020-05-05 |
发明(设计)人: | 万凯;钟小华 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
本发明提出了一种显示面板显示装置,所述显示面板包括基板、薄膜晶体管层、阳极层、有机发光层、阴极层、薄膜封装层以及粒子层;本发明通过在所述薄膜晶体管层与所述薄膜封装层之间设置一粒子层,所述粒子层由若干个银纳米颗粒构成,即根据银纳米颗粒表面的SPR效应,提高光子的态密度以及激子的自发辐射速率,以提高AMOLED显示面板的发光效率;另外,银纳米颗粒层的光反射作用,可以减少光线的损失,提高AMOLED的光提取率。
技术领域
本发明涉及显示领域,特别涉及一种显示面板显示装置。
背景技术
在平板显示技术中,有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示器具有轻薄、主动发光、响应速度快、可视角大、色域宽、亮度高和功耗低等众多优点,逐渐成为继液晶显示器后的第三代显示技术。相对于LCD(Liquid crystal displays,液晶显示器),OLED具有更省电,更薄,且视角宽的优势,这是LCD无法比拟的。目前,人们对显示的细腻程度即分辨率要求越来越高,但生产高质量、高分辨率的OLED显示屏仍然面临着许多挑战。
OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型(Passive Matrix OLED,PMOLED)和有源矩阵型(Active Matrix OLED,AMOLED)两大类,即直接寻址和薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)矩阵寻址两类。其中,AMOLED具有呈阵列式排布的像素,属于主动显示类型,发光效能高,通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。
对于AMOLED器件,当在外部电场的驱动下,阳极向发光层注入空穴,阴极向发光层注入电子;当电子和空穴在发光层相遇时,在库伦力的作用下以一定几率复合形成处于激发态的激子;其中,处于激发态的激子在通常的环境中是不稳定的,激发态的激子会将能量传递给发光材料,发光材料经过辐射驰豫过程而发光。AMOLED显示器作为一种新型电致发光器件,发光效率是评价其能的一个重要指标,也是衡量器件是否节能的直接参数。发光效率越高证明其在一定电功率条件下,电能转化为光能的效率越高,对省电和提升AMOLED面板寿命都有帮助。
由于AMOLED的发光方式是通过电子和空穴的复合激发实现的,因此,AMOLED器件的发光效率也会受到很多因素影响:
一、由于AMOLED面板中EL层存在着材料品质、位错因素以及工艺上的种种缺陷,会产生杂质电离、激发散射和晶格散射等问题,使电子从激发态跃迁到基态时与晶格原子或离子交换能量时发生无辐射跃迁,即不产生光子而是产生声子,这部分能量不转换成光能而转换成热能损耗在EL层内;
二、由于功能层中材料的折射率的差异,在界面处会存在全反射,导致光子能量以波导模式被困在功能层中;而在金属阴极和有机层界面,部分光子会转化为表面等离子体激元而沿金属表面传播耗散掉;另外,金属阴极自身也会吸收部分光能量。
因此,AMOLED器件的发光效率包含着内量子效率(IQE)和外量子效率(EQE),分别用Nint和Next表示。
内量子效率是指AMOLED器件内平均每注入一个空穴电子对所产生的光子数,内量子效率取决于空穴和电子在发光层中的复合辐射效率,复合辐射效率越大,内量子效率越大;外量子效率指的是器件发出的总光子数与注入电子数的比值,也是反映AMOLED器件发光效率最直接的参数。两者之间的关系为如下:
Next=Nint×Nout(Nout为光提取效率) (1)
从式(1)中可以看到,AMOLED面板的外量子效率与AMOLED面板内量子效率和光提取率有关,而作为影响外量子效率的关键参数,对提高AM显示面板发光层内量子效率至关重要。
本发明提出一种有效的可同时提高发光层内量子效率和光提取率的方法,进而有效器件的外量子效率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的