[发明专利]一种纳米材料场发射阴极图案化制备方法在审
| 申请号： | 201810708433.0 | 申请日： | 2018-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN108933068A | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 张晓兵;张建;王琦龙 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米材料 图案化 制备 场发射阴极 冷阴极 材料制备领域 场发射电子枪 场发射冷阴极 场致发射阴极 激光加工技术 真空电子器件 冷阴极器件 碳纳米管 应用意义 电子枪 石墨烯 氧化锌 | ||
【权利要求书】：
1.一种纳米场发射冷阴极图案化制备方法，其特征在于：
将冷阴极发射体放置在激光设备中，对冷阴极薄膜材料表面进行图案化激光刻蚀，所述图案化激光刻蚀的图案与栅极形状对应，从而栅网丝径正下方区域的阴极材料得以去除。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述纳米场发射冷阴极薄膜材料为碳纳米管、石墨烯或氧化锌。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述激光设备的激光光源为皮秒、飞秒激光器，所述激光的强度、扫描速度、轨迹、束径可以进行调节。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述图案化激光刻蚀是通过高能激光束作用在纳米场发射冷阴极薄膜材料上，使薄膜材料发生烧蚀、高温蒸发、与环境气体发生化学反应形成图案化刻蚀。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于通过调节所述环境气体中氧化性气体的成分，用于调控激光刻蚀的速率。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于所述的纳米场致发射冷阴极薄膜材料的制备方法可为丝网印刷、化学气相沉积、物理沉积或电泳工艺。
7.根绝权利要求1所描述的制备方法，其特征在于：所述的图案化是基于已制备的纳米场发射材料的进一步修饰，纳米场发射材料已经预制备或转移至相关基底表面，适用于对各种纳米场发射材料进行图案化刻蚀。
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