[发明专利]基于纳米孔阵式超短周期超晶格的深紫外MSM光电探测器

权利要求书

1.基于纳米孔阵式超短周期超晶格的深紫外MSM光电探测器，其特征在于：包括由下至上的衬底、缓冲层、纳米孔阵贯穿型超短周期超晶格以及金属电极；

该纳米孔阵贯穿型超短周期超晶格由第一介质膜层和第二介质膜层交替生长而成，且通过纳米压印技术和感应耦合等离子体刻蚀微细加工手段在该纳米孔阵贯穿型超短周期超晶格上形成有序贯穿的纳米孔阵列；

金属电极设置在纳米孔阵贯穿型超短周期超晶格上，同时将金属注入到纳米孔阵列的间隙，该金属电极与该纳米孔阵贯穿型超短周期超晶格形成肖特基接触。

2.如权利要求1所述的基于纳米孔阵式超短周期超晶格的深紫外MSM光电探测器，其特征在于：所述衬底为同质衬底，该同质衬底为氮化镓或氮化铝单晶。

3.根据权利要求1所述的基于纳米孔阵式超短周期超晶格的深紫外MSM光电探测器，其特征在于：所述衬底为异质衬底，该异质衬底为蓝宝石或碳化硅或石英或单晶硅。

4.根据权利要求1所述的基于纳米孔阵式超短周期超晶格的深紫外MSM光电探测器，其特征在于：所述第一介质膜层为氮化镓单晶或铝镓氮混晶，所述第二介质膜层为氮化铝单晶或铝镓氮混晶。

5.根据权利要求1所述的基于纳米孔阵式超短周期超晶格的深紫外MSM光电探测器，其特征在于：所述纳米孔阵贯穿型超短周期超晶格的最小单元的半径为25nm～130nm。

6.根据权利要求1所述的基于纳米孔阵式超短周期超晶格的深紫外MSM光电探测器，其特征在于：所述纳米孔阵贯穿型超短周期超晶格的孔阵周期为100nm～500nm。

7.根据权利要求1所述的基于纳米孔阵式超短周期超晶格的深紫外MSM光电探测器，其特征在于：所述纳米孔阵贯穿型超短周期超晶格的最小单元的深度为200nm～800nm。

8.根据权利要求1所述的基于纳米孔阵式超短周期超晶格的深紫外MSM光电探测器，其特征在于：所述金属电极为利用高真空热蒸发或溅射方法制备，填充所述纳米孔阵列的间隙并贯穿所述纳米孔阵贯穿型超短周期超晶格。

9.根据权利要求1所述的基于纳米孔阵式超短周期超晶格的深紫外MSM光电探测器，其特征在于：所述金属电极为钛/金、镍/金、钛/铂/金或铑/金组合中的一种。