[发明专利]一种纳米尺寸近红外光长余辉材料的制备方法有效
申请号: | 201810708875.5 | 申请日: | 2018-07-02 |
公开(公告)号: | CN108949174B | 公开(公告)日: | 2020-11-20 |
发明(设计)人: | 解荣军;吕营;庄逸熙;周天亮;李烨 | 申请(专利权)人: | 厦门大学 |
主分类号: | C09K11/68 | 分类号: | C09K11/68 |
代理公司: | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人: | 马应森 |
地址: | 361005 *** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 纳米 尺寸 红外光 余辉 材料 制备 方法 | ||
1.一种纳米尺寸近红外光长余辉材料的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
1)将Na2CO3、Ga2O3和GeO2按照化学计量比混合,研磨,煅烧,得Na2Ga2(1-x-y)GexO4-x粉末,将其配制成悬浊液;所述Na2Ga2(1-x-y)GexO4-x粉末的悬浊液浓度为0.05~0.3mol·L-1;所述煅烧的条件是在700~850℃下煅烧12h;
2)将步骤1)得到的悬浊液与化学计量比的Zn(CH3COO)2和Cr(CH3COO)3混合进行离子交换,得到近红外光长余辉材料前驱体;所述离子交换的时间为3h;
3)将步骤2)得到的近红外光长余辉材料前驱体煅烧,或将步骤2)得到的近红外光长余辉材料前驱体转移到聚四氟乙烯内衬的反应釜中,水热反应后,离心,再用水和乙醇交替洗涤干燥,煅烧,即得纳米尺寸近红外光长余辉材料;所得纳米尺寸近红外光长余辉材料的化学组成为:ZnGa2(1-x-y)GexO4-x:2yCr3+,其中0≤x≤1,0.001≤y≤0.03;所述煅烧是在750~950℃空气中煅烧4~12h;所述水热反应是在烘箱温度调到160~220℃水热反应8~16h。
2.如权利要求1所述一种纳米尺寸近红外光长余辉材料的制备方法,其特征在于在步骤3)中,所述离心的转速为9000~11000rpm。
3.如权利要求1所述一种纳米尺寸近红外光长余辉材料的制备方法,其特征在于在步骤3)中,所述交替洗涤干燥是交替洗涤3次后在50℃真空干燥。
4.如权利要求1所述一种纳米尺寸近红外光长余辉材料的制备方法,其特征在于在步骤3)中,所述干燥后的粉末样品在750~950℃空气中煅烧4~12h。
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