[发明专利]碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201810709043.5 | 申请日： | 2018-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN109390384A | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 星保幸;桥爪悠一;熊田惠志郎 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 王颖;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅半导体装置 源区 终端区域 半导体基板 电流流通 内部方向 单片化 导电型 结晶性 切断面 损伤区 耐压 配置 制造 变形 损伤 | ||
1.一种碳化硅半导体装置，其特征在于，具备：
有源区，其设置于第一导电型的半导体基板，并且所述有源区中有主电流流通；
终端区域，其配置于所述有源区的外侧，且形成有耐压结构；以及
损伤区，其配置于所述终端区域的外侧，且与单片化时形成的切断面接触，所述损伤区的结晶性受到损伤。
2.如权利要求1所述的碳化硅半导体装置，其特征在于，所述损伤区是形成有结晶缺陷的区域。
3.如权利要求2所述的碳化硅半导体装置，其特征在于，所述损伤区是与设置于所述有源区的半导体区域相比，杂质浓度高的区域。
4.如权利要求3所述的碳化硅半导体装置，其特征在于，所述损伤区的杂质浓度为1×1019/cm3以上且1×1020/cm3以下。
5.如权利要求1至4任一项所述的碳化硅半导体装置，其特征在于，所述损伤区在与所述半导体基板相反的一侧的表面侧的区域中，所述结晶缺陷的密度最高。
6.一种碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述碳化硅半导体装置具备有源区以及终端区域，所述有源区设置于第一导电型的半导体基板，并且所述有源区中有主电流流通，所述终端区域配置于所述有源区的外侧，且形成有耐压结构，
所述碳化硅半导体装置的制造方法包括：
第一工序，在所述半导体基板上形成碳化硅半导体元件；
第二工序，在所述终端区域的外侧形成结晶性受到损伤的损伤区；以及
第三工序，通过切削所述损伤区，从而将所述碳化硅半导体元件从所述半导体基板切出。
7.如权利要求6所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，
在所述第二工序中，通过离子注入或者照射激光来形成所述损伤区。
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