[发明专利]一种通过门电压调控二维磁性半导体材料磁性能的方法有效
| 申请号： | 201810709285.4 | 申请日： | 2018-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN109768157B | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 韩拯;张志东;王志;李小茜;王汉文;陈茂林;孙兴丹 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/02 |
| 代理公司： | 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 21001 | 代理人： | 崔晓蕾 |
| 地址： | 110015 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 通过 电压 调控 二维 磁性 半导体材料 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种自旋场效应器件，其特征在于：在二维磁性半导体材料居里温度以下，通过对二维磁性半导体材料进行电子或空穴掺杂，得到双重双极可调特性的自旋场效应晶体管；
所述二维磁性半导体材料为Cr2Sn2Te6二维层状材料或二维原子晶体；
基于上述自旋场效应器件，其制备方法为：
将二维磁性半导体材料和其他二维材料通过人工堆垛的方式得到异质结；或在二维磁性半导体材料上直接图形化得到器件；图形化转移方式为光刻或电子束曝光；
自旋场效应器件中与二维磁性半导体接触的材料为以下一种或多种材料：
石墨烯、氮化硼二维材料，或者其他改善接触和进行封装的二维材料。
2.根据权利要求1所述自旋场效应器件，其特征在于：所述二维磁性半导体材料的厚度在0.5nm-50nm。
3.根据权利要求1所述自旋场效应器件，其特征在于，所述二维磁性半导体材料通过下列方法获得：化学气象沉淀、力学剥离解理、溶液中超声剥离或化学剥离。
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