[发明专利]背沟道蚀刻型TFT基板的制作方法及背沟道蚀刻型TFT基板

权利要求书

1.一种背沟道蚀刻型TFT基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1、提供一衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成栅极(11)，在所述栅极(11)与衬底基板(10)上形成栅极绝缘层(12)，在所述栅极绝缘层(12)上形成对应于所述栅极(11)上方的有源层(20)，在所述有源层(20)与栅极绝缘层(12)上形成源极(31)与漏极(32)，所述源极(31)与漏极(32)分别与所述有源层(20)的两侧相接触；

步骤S2、在所述源极(31)、漏极(32)、有源层(20)及栅极绝缘层(12)上沉积形成第一钝化层(41)，在所述第一钝化层(41)上沉积形成第二钝化层(42)，其中，所述第一钝化层(41)和第二钝化层(42)均为氧化硅层，所述第一钝化层(41)的沉积温度低于第二钝化层(42)的沉积温度，所述第二钝化层(42)的氧含量大于所述第一钝化层(41)的氧含量；

步骤S3、采用含氮等离子体对所述第二钝化层(42)表面进行处理；

所述第一钝化层(41)的厚度大于第二钝化层(42)的厚度。

2.如权利要求1所述的背沟道蚀刻型TFT基板的制作方法，其特征在于，所述有源层(20)的材料为金属氧化物半导体。

3.如权利要求2所述的背沟道蚀刻型TFT基板的制作方法，其特征在于，所述有源层(20)的材料为铟镓锌氧化物。

4.如权利要求1所述的背沟道蚀刻型TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第二钝化层(42)表面的湿润角大于60°。

5.一种背沟道蚀刻型TFT基板，其特征在于，包括衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的栅极(11)、设于所述栅极(11)与衬底基板(10)上的栅极绝缘层(12)、设于所述栅极绝缘层(12)上且对应于所述栅极(11)上方的有源层(20)、设于所述有源层(20)与栅极绝缘层(12)上且分别与所述有源层(20)的两侧相接触的源极(31)与漏极(32)、设于所述源极(31)、漏极(32)、有源层(20)及栅极绝缘层(12)上的第一钝化层(41)以及设于所述第一钝化层(41)上的第二钝化层(42)；

所述第一钝化层(41)和第二钝化层(42)均为沉积形成的氧化硅层，所述第一钝化层(41)的沉积温度低于第二钝化层(42)的沉积温度，所述第二钝化层(42)的氧含量大于所述第一钝化层(41)的氧含量；

所述第二钝化层(42)表面经过含氮等离子体处理；

所述第一钝化层(41)的厚度大于第二钝化层(42)的厚度。

6.如权利要求5所述的背沟道蚀刻型TFT基板，其特征在于，所述有源层(20)的材料为金属氧化物半导体。

7.如权利要求6所述的背沟道蚀刻型TFT基板，其特征在于，所述有源层(20)的材料为铟镓锌氧化物。

8.如权利要求5所述的背沟道蚀刻型TFT基板，其特征在于，所述第二钝化层(42)表面的湿润角大于60°。