[发明专利]一种多阶重构的负电容

权利要求书

1.一种多阶重构的负电容，其特征在于，所述负电容为至少两阶重构结构，且该负电容包括输入端口P1，输出端口P2，第一负载端口P3，第二负载端口P4，依次串联后一端与输入端口P1连接、且另一端与第一负载端口P3连接的第一微带传输线TL1、串联可调电容C6、第三微带传输线TL3和第五微带传输线TL5，依次串联后一端与输出端口P2连接、且另一端与第二负载端口P4连接的第二微带传输线TL2、串联可调电容C3、第四微带传输线TL4和第六微带传输线TL6，一端连接在第一微带传输线TL1与串联可调电容C6之间、且另一端接地的并联可调电容C1，一端连接在串联可调电容C6与第三微带传输线TL3之间、且另一端接地的并联可调电容C7，一端连接在第三微带传输线TL3与第五微带传输线TL5之间、且另一端接地的并联可调电容C8，一端连接在并联可调电容C8与第五微带传输线TL5之间、且另一端接地的并联可调电容C10，一端连接在第二微带传输线TL2与串联可调电容C3之间、且另一端接地的并联可调电容C2，一端连接在串联可调电容C3与第四微带传输线TL4之间、且另一端接地的并联可调电容C4，一端连接在第四微带传输线TL4与第六微带传输线TL6之间、且另一端接地的并联可调电容C5，一端连接在并联可调电容C5与第六微带传输线TL6之间、且另一端接地的并联可调电容C9，输入端连接在并联可调电容C1与串联可调电容C6之间、且输出端连接在并联可调电容C2与串联可调电容C3之间的第一阶跨导Gm1，以及输入端连接在并联可调电容C8与并联可调电容C10之间、且输出端连接在并联可调电容C5与并联可调电容C9之间的第二阶跨导Gm2；

所述第一阶跨导Gm1与第二阶跨导Gm2的跨导值相同，并且串联可调电容C3与串联可调电容C6保持相同的调节电容值。

2.根据权利要求1所述的一种多阶重构的负电容，其特征在于，所述第一微带传输线TL1、第二微带传输线TL2、第五微带传输线TL5和第六微带传输线TL6的结构和电特性均相同，并且第三微带传输线TL3与第四微带传输线TL4的结构和电特性相同。

3.根据权利要求1所述的一种多阶重构的负电容，其特征在于，所述并联可调电容C1、并联可调电容C2、并联可调电容C9和并联可调电容C10均保持相同的调节电容值，并且并联可调电容C4、并联可调电容C5、并联可调电容C7和并联可调电容C8均保持相同的调节电容值。

4.根据权利要求2或3所述的一种多阶重构的负电容，其特征在于，还包括连接在第二阶跨导Gm2与并联可调电容C9、并联可调电容C10之间、且至少配置一阶的扩充带宽单元；所述扩充带宽单元包括串联后一端与第二阶跨导Gm2的输出端连接、且另一端连接在并联可调电容C9与第六微带传输线TL6之间的串联可调电容C15和第八微带传输线TL8，串联后一端与第二阶跨导Gm2的输入端连接、且另一端连接在并联可调电容C10与第五微带传输线TL5之间的串联可调电容C16和第七微带传输线TL7，一端连接在串联可调电容C15与第八微带传输线TL8之间、且另一端接地的并联可调电容C11，一端连接在第八微带传输线TL8与并联可调电容C9之间、且另一端接地的并联可调电容C12，一端连接在串联可调电容C16与第七微带传输线TL7之间、且另一端接地的并联可调电容C13，一端连接在第七微带传输线TL7与并联可调电容C10之间、且另一端接地的并联可调电容C14，以及输入端连接在并联可调电容C10与并联可调电容C14之间、且输出端连接在并联可调电容C9与并联可调电容C12之间的第三阶跨导Gm3。